91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

K2982-Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K2982-Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K2982-Z-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

K2982-Z-VB 是一款高性能的單 N 溝道功率 MOSFET,采用 TO252 封裝設計,專為應對低電壓、高電流應用而開發(fā)。該器件具有最大漏極-源極電壓 (VDS) 達到 30V,最大漏極電流 (ID) 高達 80A,適合在電氣條件嚴格的環(huán)境中使用。K2982-Z-VB 的導通電阻 (RDS(ON)) 在 10V 的柵極電壓下僅為 5mΩ,確保了出色的能效和低功耗特性,非常適合用于各種電源管理和開關應用。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO252
- **配置**:單 N 溝道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:30V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V
- **開啟電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:6mΩ @ VGS=4.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:80A
- **技術**:Trench
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
- **熱阻 (RθJA)**:優(yōu)化設計以適應高功率應用。

### 應用領域與模塊

1. **電源管理**:
  K2982-Z-VB 在**電源管理**領域的應用廣泛,特別是在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中。其低導通電阻特性使其能夠在降低功耗的同時,提供穩(wěn)定的電流輸出,滿足各種電子設備對電源的高效能需求。

2. **電動機驅(qū)動**:
  此 MOSFET 非常適合用于**電動機驅(qū)動**應用,如直流電機和步進電機的驅(qū)動電路。其高電流處理能力和快速開關特性使其在工業(yè)自動化和機器人技術中具備可靠性和高效性。

3. **開關應用**:
  K2982-Z-VB 也可用于**開關應用**,在開關電源和轉(zhuǎn)換電路中表現(xiàn)優(yōu)異。其響應時間快和低導通損耗,使其成為高頻開關電路的理想選擇,有助于提高電路的整體效率。

4. **消費電子**:
  在**消費電子產(chǎn)品**中,如智能手機、平板電腦等,K2982-Z-VB 可以用于電源管理和信號放大,提供高效、穩(wěn)定的性能。這對于追求便攜和高效能的現(xiàn)代電子產(chǎn)品至關重要。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    505瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    426瀏覽量