91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內容數 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

K3991-ZK-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K3991-ZK-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### K3991-ZK-VB MOSFET 產品簡介

K3991-ZK-VB 是一款高效能的N溝道MOSFET,采用TO252封裝,設計用于低電壓高電流應用。其最大漏極-源極電壓(VDS)為30V,柵極-源極電壓(VGS)可達±20V,具有非常低的導通電阻(RDS(ON)),在VGS為4.5V時為9mΩ,而在VGS為10V時更低至7mΩ。這使得K3991-ZK-VB能夠承載高達70A的電流,非常適合用于需要高效率和低熱損耗的電源管理及驅動應用?;赥rench技術的設計,使其具有出色的開關性能和極低的開關損耗,確保在快速開關操作中能夠穩(wěn)定工作。

### 詳細參數說明

- **封裝類型**: TO252
- **溝道配置**: 單一N溝道
- **最大漏極-源極電壓(VDS)**: 30V
- **最大柵極-源極電壓(VGS)**: ±20V
- **開啟電壓(Vth)**: 1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**: 70A
- **技術類型**: Trench技術
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +150°C
- **功耗(Pd)**: 70W (典型值)
- **最大瞬態(tài)柵極電荷(Qg)**: 25nC
- **輸入電容(Ciss)**: 2000pF

### 應用領域及模塊舉例

1. **電源管理模塊**  
K3991-ZK-VB 適用于**開關電源(SMPS)**,尤其是在需要高電流和低損耗的場合。其低導通電阻使其在電源轉換過程中有效減少能量損耗,提升整體效率,適合用于各種電源模塊和電源管理IC。

2. **電動機控制**  
這款MOSFET非常適合**電動機驅動應用**,如直流電機和步進電機驅動。它能夠處理高達70A的電流,滿足大多數電動機驅動電路的需求,提供穩(wěn)定的控制信號和快速的開關響應,確保高效能的電機控制。

3. **LED驅動器**  
在**LED照明應用**中,K3991-ZK-VB 可以作為高效的開關元件,控制LED燈的開關和亮度調節(jié)。其低導通電阻確保LED燈具的長時間穩(wěn)定運行,并能有效減少熱量產生,延長LED的使用壽命。

4. **消費電子產品**  
在**智能手機、平板電腦**等消費電子產品的電源管理中,這款MOSFET也廣泛應用于電池管理系統(tǒng)中,確保高效能和可靠性,優(yōu)化電池充放電過程,延長設備的電池續(xù)航時間。

總的來說,K3991-ZK-VB MOSFET以其卓越的電性能和廣泛的適用性,是高效電源管理和驅動應用的理想選擇。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    505瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產替代方案,已成為驅動產品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數對標到性能飛
    426瀏覽量