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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K3993-ZK-E1-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K3993-ZK-E1-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 2.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K3993-ZK-E1-VB 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,封裝為 TO252,設(shè)計(jì)用于低電壓和高電流應(yīng)用。這款 MOSFET 具備超低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在多種柵極電壓下表現(xiàn)出卓越的開(kāi)關(guān)性能,適合用于高效的電源管理和驅(qū)動(dòng)電路。K3993-ZK-E1-VB 能在 20V 的漏極源電壓(VDS)和 120A 的最大漏極電流(ID)下穩(wěn)定工作,確保設(shè)備在嚴(yán)苛環(huán)境下的可靠性和效率。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: K3993-ZK-E1-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單 N 通道
- **漏極源電壓 (VDS)**: 20V
- **柵極源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5V ~ 1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3.5mΩ @ VGS = 2.5V
 - 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術(shù)**: Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊

K3993-ZK-E1-VB MOSFET 在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中具有廣泛的應(yīng)用,例如:

1. **電源管理**: 由于其超低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,該 MOSFET 是高效電源管理電路的理想選擇,尤其在低電壓、高功率應(yīng)用中,能夠有效降低能量損耗。

2. **電動(dòng)工具和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**: K3993-ZK-E1-VB 的快速開(kāi)關(guān)特性使其適合于電動(dòng)工具和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,為設(shè)備提供強(qiáng)勁的啟動(dòng)和持續(xù)運(yùn)行能力。

3. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**: 在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,該 MOSFET 可作為開(kāi)關(guān)元件,實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換,特別是在需要快速開(kāi)關(guān)和高頻操作的場(chǎng)合。

4. **充電器和電池管理系統(tǒng)**: K3993-ZK-E1-VB 適合用于智能充電器和電池管理系統(tǒng)中,以確保電池的高效充電和放電,提升電池的使用壽命和安全性。

5. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**: 該 MOSFET 的小型化封裝和優(yōu)良的熱管理特性,使其適合用于各類(lèi)消費(fèi)電子產(chǎn)品中的電源模塊,為用戶提供穩(wěn)定、可靠的電源解決方案。

通過(guò)在這些應(yīng)用領(lǐng)域中的表現(xiàn),K3993-ZK-E1-VB MOSFET 顯示出其卓越的性能,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和小型化的需求。

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