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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K5P60W-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K5P60W-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 700mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:K5P60W-VB MOSFET

K5P60W-VB是一款采用TO252封裝的高壓?jiǎn)蜰溝道MOSFET,專為650V高壓應(yīng)用設(shè)計(jì),使用了超級(jí)結(jié)多層外延(SJ_Multi-EPI)技術(shù)。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS=10V時(shí)為700mΩ,最大電流為7A,能夠在高壓和中等電流的條件下保持低功耗和高效率。該器件非常適合在高壓轉(zhuǎn)換電路中使用,提供了可靠的電氣性能和穩(wěn)定的工作能力,是電力電子領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用的核心組件。

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 650V
- **柵源電壓(VGS)**: ±30V
- **閾值電壓(Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 700mΩ @ VGS = 10V
- **最大導(dǎo)通電流(ID)**: 7A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI(超級(jí)結(jié)多層外延技術(shù))
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C
- **開關(guān)頻率**: 適中,適合高效開關(guān)應(yīng)用

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例:

1. **高壓電源管理**:K5P60W-VB常用于高壓電源管理系統(tǒng),如開關(guān)模式電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。其650V的高電壓耐受性使其能夠處理電源轉(zhuǎn)換中的高壓部分,確保設(shè)備在高效能量轉(zhuǎn)換的同時(shí)保持系統(tǒng)的可靠性。

2. **LED照明系統(tǒng)**:在高壓LED驅(qū)動(dòng)電源中,該MOSFET能確保在高電壓條件下為大功率LED提供穩(wěn)定的電流輸出,延長(zhǎng)LED的使用壽命并提高照明系統(tǒng)的整體效率。

3. **工業(yè)控制設(shè)備**:K5P60W-VB適合用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高壓開關(guān)控制,例如可編程邏輯控制器(PLC)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊。其高耐壓特性能夠應(yīng)對(duì)工業(yè)控制電路中的高壓瞬態(tài)沖擊,提供可靠的開關(guān)性能。

4. **逆變器系統(tǒng)**:在太陽(yáng)能逆變器和家用電器逆變器中,K5P60W-VB MOSFET用于處理高壓部分,確保逆變器能夠?qū)⒅绷麟娪行мD(zhuǎn)換為交流電。其低導(dǎo)通電阻特性降低了功率損耗,有助于提高整個(gè)系統(tǒng)的效率。

5. **電動(dòng)汽車充電器**:該MOSFET也適用于電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)的高壓部分。其650V的高電壓耐受性使其能夠處理充電器中的高壓轉(zhuǎn)換過程,提供安全可靠的充電性能。

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