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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K611-VB TO252一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K611-VB TO252
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 55mΩ@VGS=10V
  • ID 25A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K611-VB TO252 MOSFET 產(chǎn)品簡介:

**K611-VB** 是一款采用**TO252封裝**的單N溝道MOSFET,具有出色的高效能和低導(dǎo)通電阻,適用于各種中高功率應(yīng)用。該MOSFET具有**100V的漏源電壓(VDS)**和**±20V的柵源電壓(VGS)**,能夠在較高電壓下進(jìn)行高效開關(guān)操作。該器件基于**Trench(溝槽型)技術(shù)**,提供低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力。**K611-VB** 在**4.5V柵極電壓下**的導(dǎo)通電阻為**57mΩ**,在**10V柵極電壓下**為**55mΩ**,并能承受**25A的連續(xù)漏電流(ID)**。它非常適合中高電流、高效率的功率轉(zhuǎn)換和管理應(yīng)用場合。

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **封裝**:TO252
- **配置**:單N溝道
- **VDS(漏源電壓)**:100V
- **VGS(柵源電壓)**:±20V
- **Vth(閾值電壓)**:1.8V
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)**:57mΩ @ VGS = 4.5V,55mΩ @ VGS = 10V
- **ID(連續(xù)漏電流)**:25A
- **技術(shù)**:Trench(溝槽型)技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:

**K611-VB** MOSFET 由于其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,適用于多個領(lǐng)域,特別是功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)應(yīng)用。

1. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:
  - 該MOSFET能夠高效處理**DC-DC轉(zhuǎn)換**,特別是用于**電池供電設(shè)備**中需要高效電流轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻使得它在低電壓輸入時(shí)仍能保持較高的效率,非常適合用于各種電源調(diào)節(jié)和分布式電源系統(tǒng)。

2. **電動工具與電機(jī)控制**:
  - 在中等功率的**電動工具**和**小型電機(jī)驅(qū)動**中,**K611-VB** 可用于電機(jī)驅(qū)動電路中的開關(guān)操作。它能夠提供高效的電流控制,減少功率損耗,并提高電機(jī)運(yùn)行的穩(wěn)定性。

3. **汽車電子系統(tǒng)**:
  - 該MOSFET廣泛應(yīng)用于**汽車電源管理系統(tǒng)**,如**電機(jī)驅(qū)動控制**和**車載DC-DC轉(zhuǎn)換器**。其100V的高耐壓特性,使其能夠處理汽車系統(tǒng)中出現(xiàn)的電壓瞬變,并能在各種嚴(yán)苛環(huán)境下提供可靠的性能。

4. **光伏逆變器**:
  - 在**光伏發(fā)電系統(tǒng)**中,**K611-VB** 可用于**DC-AC逆變器**的功率開關(guān)模塊中,幫助實(shí)現(xiàn)從太陽能電池板到電網(wǎng)或電池的高效電能轉(zhuǎn)換。它的低導(dǎo)通電阻特性使得它在處理高電流時(shí)具備更低的功率損耗,從而提高系統(tǒng)整體效率。

5. **電源管理和UPS系統(tǒng)**:
  - **不間斷電源(UPS)系統(tǒng)**和**服務(wù)器電源管理**系統(tǒng)通常需要處理較高的電流并確保高效率。**K611-VB** 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其適合這些應(yīng)用場景,能夠在保證可靠性的同時(shí)減少熱量產(chǎn)生,提升系統(tǒng)的穩(wěn)定性和壽命。

總的來說,**K611-VB** 是一款性能出色的MOSFET,憑借其高電壓、低電阻和高電流承受能力,廣泛應(yīng)用于電源管理、汽車電子、工業(yè)控制和可再生能源等領(lǐng)域。

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