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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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KF4N20LD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: KF4N20LD-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 850mΩ@VGS=10V
  • ID 5A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### KF4N20LD-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

KF4N20LD-VB是一款高壓單極N通道MOSFET,采用先進的Trench技術,旨在高壓條件下高效運行。該MOSFET封裝在TO-252封裝中,支持高達200V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS)。其閾值電壓(Vth)為3V,使其可以通過標準的柵極驅動器輕松驅動。該器件在VGS=10V時具有850mΩ的低RDS(ON),確保降低導通損耗,同時其5A的連續(xù)漏電流(ID)額定值使其適用于中功率開關應用。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝**: TO-252,適用于中功率應用的緊湊型表面貼裝封裝。
- **配置**: 單極N通道,常用于高側或低側開關的各種拓撲結構。
- **漏源電壓 (VDS)**: 200V,能夠處理高壓應用。
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V,提供對高柵源驅動電壓的穩(wěn)定性。
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V,確保使用常見的柵極驅動電壓時可靠開關。
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 在VGS=10V時為850mΩ,在導通時最大限度地減少導通損耗。
- **連續(xù)漏電流 (ID)**: 5A,適合中等功率需求。
- **技術**: Trench,設計用于低導通電阻和在高速開關應用中的提高效率。

### 應用領域和模塊

1. **電源電路**:  
  KF4N20LD-VB MOSFET非常適合電源電路,包括開關模式電源(SMPS)和反激變換器,在這些電路中需要高電壓處理和中等電流水平。其高VDS額定值使其適合用于主側開關,有效地實現(xiàn)AC-DC和DC-DC電源轉換。

2. **電動機控制**:  
  該器件可用于小到中型電動機的電動機控制電路,例如工業(yè)機械或家用電器中的電動機。MOSFET能夠處理200V的電壓,允許對高電壓電動機進行精確控制,而其Trench技術確保高效能的能量使用。

3. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**:  
  在電池管理系統(tǒng)中,KF4N20LD-VB可用于需要高壓隔離和開關的電路,例如在鋰離子電池組中的平衡和保護電路。其強大的電壓和電流能力有助于確保電池系統(tǒng)的安全性和效率,適用于電動車輛(EV)和儲能系統(tǒng)。

4. **照明系統(tǒng)**:  
  該MOSFET非常適合高壓LED驅動器在照明系統(tǒng)中的應用,特別是在需要高效率和電壓耐受性的工業(yè)和戶外照明中。該器件可以有效地管理開關負載,同時最小化功耗,助力LED照明的整體能效。

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