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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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KU310N10D-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: KU310N10D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 30mΩ@VGS=10V
  • ID 40A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、KU310N10D-VB 產(chǎn)品簡介

KU310N10D-VB 是一款高性能單通道 N 型 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高電壓和高電流應用設計。憑借其先進的溝槽(Trench)技術,該 MOSFET 在低導通電阻和良好的熱性能方面表現(xiàn)出色,適合用于各種電源管理系統(tǒng)。其最大漏源電壓(VDS)可達到 100V,最大漏極電流(ID)為 40A,使其在電氣負載較高的應用中表現(xiàn)優(yōu)異。KU310N10D-VB 的閾值電壓(Vth)為 1.8V,使其能夠在相對較低的電壓下正常工作,廣泛應用于開關電源、DC-DC 轉換器及其他電源管理系統(tǒng)中。

### 二、KU310N10D-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252  
- **通道配置**: 單通道 N 型  
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 35mΩ @ VGS = 4.5V  
 - 30mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏極電流 (ID)**: 40A  
- **技術類型**: 溝槽技術 (Trench)  
- **功率損耗 (Ptot)**: 根據(jù)工作條件和散熱設計而定  
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C  
- **靜態(tài)電流 (IDSS)**: 低漏電流,確保高效率  

### 三、KU310N10D-VB 應用領域與模塊說明

1. **開關電源**  
  KU310N10D-VB 廣泛應用于各種開關電源(SMPS)設計中,因其能夠承受高電壓和大電流,有效提高電源轉換效率,降低能量損耗,使其成為電源管理系統(tǒng)中的關鍵組件。

2. **DC-DC 轉換器**  
  該 MOSFET 適用于 DC-DC 轉換器中,能夠提供高效的電壓轉換和穩(wěn)壓功能。常見于消費電子、工業(yè)控制及電動工具等領域,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

3. **電池管理系統(tǒng)**  
  在鋰電池和其他可充電電池管理系統(tǒng)中,KU310N10D-VB 的高電流處理能力和低導通電阻確保了充電和放電過程的安全性,廣泛應用于電動車和移動電源等產(chǎn)品中,保護電池不受過流和過壓的損害。

4. **電動機驅動**  
  KU310N10D-VB 還適用于電動機驅動電路,能夠有效控制電動機的啟動和運行,適合于家用電器和工業(yè)自動化設備中的應用,確保電動機高效運行。

總結來說,KU310N10D-VB 以其卓越的電氣性能和廣泛的適用性,成為高電壓和高電流應用中的理想選擇,能夠有效提升系統(tǒng)的整體效率和可靠性。

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