--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 200V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### LR220ATF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
LR220ATF-VB 是一款單極N通道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),采用TO252封裝,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計。其漏源電壓為200V,柵源電壓范圍為±20V,適合于多種電源管理和轉(zhuǎn)換場合。該器件的開啟閾值電壓為3V,確保其在較低電壓下便能有效開啟,具有良好的控制性能。LR220ATF-VB 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在柵極電壓為10V時為245mΩ,適合需要在高電壓和中等電流下運行的應(yīng)用,確保高效的電力傳輸和較低的功耗。
### LR220ATF-VB 詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO252
- **極性配置**: 單N通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 200V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 245mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術(shù)類型**: Trench技術(shù)
- **應(yīng)用溫度范圍**: 適應(yīng)廣泛的工作環(huán)境,具有良好的熱穩(wěn)定性。
### LR220ATF-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域及模塊
1. **開關(guān)電源**:LR220ATF-VB 的高耐壓特性使其非常適用于開關(guān)電源(SMPS)和其他電源轉(zhuǎn)換設(shè)備。其在高電壓環(huán)境下的低導(dǎo)通電阻有助于提高電源效率,減少熱損失,是高效電源解決方案的理想選擇。
2. **工業(yè)設(shè)備**:在工業(yè)設(shè)備中,該MOSFET 可用于變頻器和功率調(diào)節(jié)器。這些設(shè)備通常要求在高電壓和中等電流的條件下穩(wěn)定運行,LR220ATF-VB 的設(shè)計能滿足這些需求,確保設(shè)備高效且可靠。
3. **汽車電子**:LR220ATF-VB 適合用于電動汽車和混合動力汽車的電源管理系統(tǒng),如電池管理系統(tǒng)(BMS)和充電器,能夠在高電壓環(huán)境中提供高效能和可靠性。
4. **家用電器**:在某些高功率家用電器中,例如空調(diào)和冰箱,LR220ATF-VB 可以用于電機驅(qū)動和電源調(diào)節(jié)模塊,確保電器在高電壓下的穩(wěn)定運行,提升能效。
LR220ATF-VB 以其出色的性能和多功能性,成為多種高電壓電源解決方案中不可或缺的組件,廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備和電力管理系統(tǒng)中。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12