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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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LR8715C-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: LR8715C-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:  
LR8715C-VB 是一款采用 TO252 封裝的單 N 溝道 MOSFET,專為高效能電源管理和開關應用設計。它具有 30V 的漏源極耐壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源極耐壓 (VGS),能夠處理高達 80A 的連續(xù)漏極電流 (ID),使其適用于低電壓、大電流場合。其導通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS=4.5V 時為 6mΩ,在 VGS=10V 時為 5mΩ,表現(xiàn)出極低的能量損耗,保證了高效的功率傳輸。LR8715C-VB 采用 Trench 技術,具有更低的柵極電荷和更高的開關效率,非常適合要求高效能和高可靠性的應用場合。

### 參數(shù)說明:
1. **封裝 (Package)**: TO252  
2. **配置 (Configuration)**: 單 N 溝道  
3. **漏源極耐壓 (VDS)**: 30V  
4. **柵源極耐壓 (VGS)**: ±20V  
5. **柵閾值電壓 (Vth)**: 1.7V  
6. **導通電阻 (RDS(ON))**:  
  - 6mΩ @ VGS=4.5V  
  - 5mΩ @ VGS=10V  
7. **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 80A  
8. **技術 (Technology)**: Trench 技術  
9. **最大功耗 (Power Dissipation)**: 取決于具體的設計和散熱條件  
10. **工作溫度范圍 (Operating Temperature Range)**: -55°C 至 175°C  

### 應用領域和模塊舉例:  
1. **DC-DC 轉換器**:LR8715C-VB 適用于高效 DC-DC 轉換器,其低導通電阻使得電流傳輸更加高效,減少轉換過程中的能量損耗,特別是在要求低電壓、大電流的場合表現(xiàn)優(yōu)異。  
2. **電池管理系統(tǒng)**:該 MOSFET 在電動汽車和消費電子設備中的電池管理模塊中可發(fā)揮重要作用,通過精確的電流控制和低損耗導通路徑延長電池壽命并提高系統(tǒng)效率。  
3. **電機控制與驅動**:其高電流處理能力和低導通損耗,使其成為工業(yè)和汽車電機控制中的理想選擇,確保電機在重負荷條件下的穩(wěn)定運行,降低功耗并減少熱量產(chǎn)生。  
4. **開關電源 (SMPS)**:在開關電源應用中,LR8715C-VB 能夠提供快速開關速度和高效能量傳輸,廣泛用于服務器電源、通信設備電源等高要求領域。  
5. **LED 照明驅動**:該 MOSFET 可用于 LED 驅動模塊,提供高效的電流控制,確保 LED 照明系統(tǒng)的亮度穩(wěn)定和能耗優(yōu)化,適合智能照明和節(jié)能燈應用。

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