--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 700mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**LSG65R760GT-VB** 是一款高效能的單N通道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計。其額定漏源電壓 (VDS) 為 650V,最大柵源電壓 (VGS) 可達到 ±30V。該 MOSFET 具備出色的導通電阻,RDS(ON) 在 10V 柵壓下為 700mΩ,確保在高電流下的高效能表現(xiàn),最大持續(xù)電流 (ID) 達到 7A。此器件采用先進的 SJ_Multi-EPI 技術(shù),具備良好的熱穩(wěn)定性和開關(guān)性能,廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換器、逆變器及其他高功率電子設(shè)備中。
### 詳細參數(shù)說明
| 參數(shù) | 規(guī)格 |
|--------------------------|---------------------|
| **型號** | LSG65R760GT-VB |
| **封裝類型** | TO252 |
| **配置** | 單N通道 |
| **漏源電壓 (VDS)** | 650V |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±30V |
| **閾值電壓 (Vth)** | 3.5V |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 700mΩ(@VGS=10V) |
| **最大持續(xù)電流 (ID)** | 7A |
| **技術(shù)** | SJ_Multi-EPI |
### 適用領(lǐng)域和模塊示例
**1. 電源管理:**
- **應(yīng)用示例**:在開關(guān)電源 (SMPS) 中,LSG65R760GT-VB 可用作主開關(guān)管,提升能效,減少損耗。
- **模塊類型**:DC-DC 轉(zhuǎn)換器、AC-DC 適配器。
**2. 逆變器:**
- **應(yīng)用示例**:在太陽能逆變器中,LSG65R760GT-VB 能夠?qū)崿F(xiàn)高效的直流到交流轉(zhuǎn)換,優(yōu)化系統(tǒng)整體效率。
- **模塊類型**:光伏逆變器、風力發(fā)電逆變器。
**3. 電機驅(qū)動:**
- **應(yīng)用示例**:可用于電機控制電路中,作為開關(guān)管提高開關(guān)速度和效能。
- **模塊類型**:電機驅(qū)動器、變頻器。
**4. 汽車電子:**
- **應(yīng)用示例**:在電動汽車的電源管理系統(tǒng)中,作為功率開關(guān)提升電能傳輸效率。
- **模塊類型**:電池管理系統(tǒng) (BMS)、充電器。
通過這些應(yīng)用示例,可以看出 LSG65R760GT-VB 的廣泛適用性和高性能,適合于各類高功率、高電壓的電子設(shè)備和系統(tǒng)中。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12