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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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N307AD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: N307AD-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### N307AD-VB 產(chǎn)品簡介

N307AD-VB 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為低電壓和高電流應用設計。該器件的最大漏極源極電壓(VDS)為 30V,適合多種電源管理和開關電路的需求。其閾值電壓(Vth)為 1.7V,能夠在較低的門極驅(qū)動電壓下快速導通,提升了整體開關效率。N307AD-VB 采用 Trench 技術,具有極低的導通電阻(RDS(ON)),分別為 6mΩ(VGS=4.5V)和 5mΩ(VGS=10V),確保在高電流應用中提供優(yōu)異的性能。憑借其高效率和小巧的封裝設計,N307AD-VB 是空間受限應用中的理想選擇。

---

### 詳細參數(shù)說明

| **參數(shù)**                  | **說明**                    |
|------------------------|---------------------------|
| **型號**                | N307AD-VB                 |
| **封裝**                | TO252                     |
| **配置**                | 單 N 溝道 MOSFET            |
| **最大漏極源極電壓 (VDS)** | 30V                       |
| **最大柵極源極電壓 (VGS)** | ±20V                      |
| **閾值電壓 (Vth)**       | 1.7V                      |
| **導通電阻 (RDS(ON))**    | 6mΩ @ VGS=4.5V
5mΩ @ VGS=10V |
| **最大漏極電流 (ID)**     | 80A                       |
| **技術**                 | Trench                    |

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### 應用領域和模塊示例

1. **電源管理**  
N307AD-VB 是開關電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的理想選擇。其高效率和低導通電阻使得電源在高負載情況下運行時能顯著降低功耗,提升整體系統(tǒng)性能。

2. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**  
在電池管理系統(tǒng)中,N307AD-VB 用于控制電池的充放電過程,尤其是在高電流環(huán)境中,低導通電阻能有效降低熱損耗,從而提高電池的使用壽命。

3. **電動機驅(qū)動**  
該 MOSFET 可用于小型直流電機或步進電機的驅(qū)動電路中。由于其高電流承載能力,能夠?qū)崿F(xiàn)快速開關控制,提高電機響應速度和效率。

4. **LED 驅(qū)動**  
N307AD-VB 適用于 LED 照明系統(tǒng),能夠提供穩(wěn)定的電流,確保 LED 的高效能和長壽命,尤其在調(diào)光系統(tǒng)中表現(xiàn)出色。

5. **消費電子產(chǎn)品**  
該器件在各種消費電子產(chǎn)品中如充電器、適配器和小型家電中得到了廣泛應用。其小型封裝和高性能特點,使其適合現(xiàn)代家電對空間和能效的要求。

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N307AD-VB 以其卓越的性能和可靠性,成為多種電子應用中的關鍵組件,特別是在需要高效率和小型化設計的場合中,提供了有效的解決方案。

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