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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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N312AD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): N312AD-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、N312AD-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介  

N312AD-VB 是一款高性能的 **單 N 溝道 MOSFET**,采用 **TO-252 封裝**,特別設(shè)計(jì)用于低壓和高電流應(yīng)用。該器件的 **最大漏極-源極電壓 (V_DS)** 為 **30V**,在 **±20V** 的柵極-源極電壓 (V_GS) 范圍內(nèi)工作,具備良好的電氣特性。其柵極開(kāi)啟電壓 (V_th) 為 **1.7V**,提供快速開(kāi)啟特性。N312AD-VB 的導(dǎo)通電阻 (R_DS(ON)) 在 **V_GS = 4.5V** 時(shí)為 **6mΩ**,在 **V_GS = 10V** 時(shí)僅為 **5mΩ**,可承受高達(dá) **80A** 的漏極電流 (I_D)。采用 **Trench 技術(shù)**,N312AD-VB 適合高效能、低功耗應(yīng)用,能夠滿足嚴(yán)格的能效和散熱要求。  

---

### 二、N312AD-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明  

| **參數(shù)**                | **描述**                                       | **數(shù)值**           |
|-------------------------|------------------------------------------------|--------------------|
| **封裝類型**             | TO-252 封裝                                    | -                  |
| **極性**                 | 單 N 溝道                                       | -                  |
| **V_DS**                | 漏極-源極電壓                                  | 30V                |
| **V_GS**                | 柵極-源極電壓范圍                              | ±20V               |
| **V_th**                | 柵極開(kāi)啟電壓                                   | 1.7V               |
| **R_DS(ON)**            | 導(dǎo)通電阻 (V_GS = 4.5V)                         | 6mΩ                |
| **R_DS(ON)**            | 導(dǎo)通電阻 (V_GS = 10V)                          | 5mΩ                |
| **I_D**                 | 最大漏極電流                                   | 80A                |
| **功率耗散 (P_D)**      | 最大功率耗散能力(25°C 時(shí))                     | 150W               |
| **工作溫度范圍**         | 允許的結(jié)溫范圍                                 | -55°C ~ 150°C      |
| **技術(shù)**                | Trench 技術(shù)                                    | -                  |
| **封裝引腳**             | 3 引腳(適用于表面安裝)                        | -                  |

---

### 三、N312AD-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域與模塊說(shuō)明  

1. **電源管理系統(tǒng)**  
  N312AD-VB 適用于 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器** 和 **電源管理模塊**,提供高效能的電流控制和電壓穩(wěn)壓。其低導(dǎo)通電阻使得在高電流負(fù)載下的能效更高,廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)電源、通信電源和消費(fèi)電子產(chǎn)品中。

2. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**  
  在電動(dòng)汽車和儲(chǔ)能系統(tǒng)的 **BMS** 中,N312AD-VB 作為主開(kāi)關(guān)器件,實(shí)現(xiàn)對(duì)電池充放電過(guò)程的精確控制,確保電池的安全和高效運(yùn)行。

3. **電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)模塊**  
  該 MOSFET 可用于 **電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用**,例如工業(yè)電機(jī)和自動(dòng)化設(shè)備的控制。N312AD-VB 的高電流能力與低導(dǎo)通損耗使其在電機(jī)啟動(dòng)與運(yùn)行過(guò)程中具有卓越表現(xiàn)。

4. **LED 驅(qū)動(dòng)電路**  
  N312AD-VB 也適用于 **LED 驅(qū)動(dòng)電路**,能夠在高電流條件下高效驅(qū)動(dòng) LED 光源,滿足不同照明需求,并優(yōu)化光效。

5. **負(fù)載開(kāi)關(guān)與熱插拔控制**  
  該 MOSFET 在 **負(fù)載開(kāi)關(guān)** 和 **熱插拔應(yīng)用** 中表現(xiàn)優(yōu)異,能迅速響應(yīng)電流變化,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性,特別適用于計(jì)算機(jī)和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。

---

### 總結(jié)  

N312AD-VB 是一款具有卓越性能的單 N 溝道 MOSFET,憑借其 **低導(dǎo)通電阻** 和 **高電流承載能力**,成為高效電源管理、汽車電子及各種工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。無(wú)論在 **電池管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)** 還是 **LED 驅(qū)動(dòng)** 等領(lǐng)域,N312AD-VB 都能提供穩(wěn)定的性能并有效降低能耗,提升整體系統(tǒng)效率。

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