--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
- ID 80A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**NTD60N03T4-VB** 是一款高性能的N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為低到中等電壓應(yīng)用設(shè)計。該器件具有極低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)越的開關(guān)性能,非常適合用于高頻電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。NTD60N03T4-VB的最大漏源電壓為30V,最大連續(xù)漏電流為80A,確保其在各種工作條件下的可靠性和效率。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**: NTD60N03T4-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS = 4.5V
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 80A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)
### 適用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源管理系統(tǒng)**: NTD60N03T4-VB廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和高效電源模塊,能夠有效降低能量損耗,提高轉(zhuǎn)換效率,適合計算機和消費電子設(shè)備。
2. **電機控制**: 此MOSFET適用于電動機驅(qū)動應(yīng)用,如家電和工業(yè)自動化系統(tǒng),支持高電流操作并提供優(yōu)異的控制性能。
3. **汽車電子**: 在汽車電源管理中,NTD60N03T4-VB可用于電池管理和電動助力轉(zhuǎn)向等應(yīng)用,確保系統(tǒng)在各種負(fù)載條件下的高效性和可靠性。
4. **LED驅(qū)動**: 由于其快速開關(guān)特性,該MOSFET非常適合用于LED照明驅(qū)動,提高照明系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。
5. **通信設(shè)備**: NTD60N03T4-VB可以用于無線通信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的功率放大和電源管理,確保設(shè)備在高負(fù)載下的穩(wěn)定運行。
憑借其出色的性能,NTD60N03T4-VB在現(xiàn)代電子設(shè)計中成為重要的組成部分,適用于多種應(yīng)用場景。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12