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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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P1203BD8-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): P1203BD8-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### P1203BD8-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

P1203BD8-VB是一款高效能N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為低電壓和高電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其漏源電壓(VDS)為30V,柵源電壓(VGS)可承受±20V,具有極低的導(dǎo)通電阻,RDS(ON)在VGS為4.5V時(shí)為6mΩ,在10V時(shí)降至5mΩ。這使得P1203BD8-VB在處理高達(dá)80A的電流時(shí),具備出色的熱管理性能。該器件采用先進(jìn)的Trench技術(shù),確保其在各種嚴(yán)苛環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性,廣泛應(yīng)用于電源管理和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**:P1203BD8-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS=4.5V
 - 5mΩ @ VGS=10V
- **漏電流(ID)**:80A
- **技術(shù)**:Trench技術(shù)

### 適用領(lǐng)域和模塊

1. **電源管理**:P1203BD8-VB非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源分配模塊,其低導(dǎo)通電阻確保在高效能下運(yùn)行,減少能量損失,提高整體效率。

2. **電機(jī)控制**:在電動(dòng)工具和家電中,該MOSFET能夠處理大電流,快速響應(yīng)并精確控制電機(jī)的啟動(dòng)與停止,適用于風(fēng)扇、泵等驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。

3. **LED驅(qū)動(dòng)**:在LED照明應(yīng)用中,P1203BD8-VB提供穩(wěn)定的電流輸出,確保LED在各種負(fù)載條件下始終如一的亮度,增強(qiáng)使用壽命。

4. **移動(dòng)充電設(shè)備**:在充電器和移動(dòng)電源中,該器件可實(shí)現(xiàn)高效電流管理,提高充電效率,滿足快速充電需求。

5. **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理系統(tǒng)中,P1203BD8-VB能夠有效控制充放電過程,確保電池在安全和高效的條件下工作。

這些特性和應(yīng)用領(lǐng)域使P1203BD8-VB成為高效電源解決方案的理想選擇。

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