60A 同步降壓 NexFET? 智能功率級
| VDS (V) | 20 |
| Power loss (W) | 2.8 |
| Ploss current (A) | 30 |
| Configuration | PowerStage |
| ID - continuous drain current at Ta=25degC (A) | 60 |
| Package (mm) | QFN 5 x 6 proprietary footprint |
| Operating temperature range (C) | -55 to 150 |
- 60A 持續(xù)運(yùn)行電流能力
- 電流 30A 時，系統(tǒng)效率達(dá)到 93.4%
- 電流 30A 時，2.8W 低功率損耗
- 高頻運(yùn)行（高達(dá) 1.25MHz）
- 支持強(qiáng)制連續(xù)傳導(dǎo)模式 (FCCM) 的二極管仿真模式
- 溫度補(bǔ)償雙向電流感測
- 模擬溫度輸出（0°C 時 600mV）
- 故障監(jiān)控
- 高端短路、過流和過熱保護(hù)
- 輸入電壓高達(dá) 14.5V
- 與 3.3 和 5V 脈寬調(diào)制 (PWM) 信號兼容
- 三態(tài) PWM 輸入
- 集成型自舉二極管
- 針對擊穿保護(hù)的經(jīng)優(yōu)化死區(qū)時間
- 高密度小外形尺寸無引線 (SON) 5mm x 6mm 封裝
- 超低電感封裝
- 系統(tǒng)已優(yōu)化的印刷電路板 (PCB) 封裝
- 雙冷卻封裝
- 符合 RoHS 綠色環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)-無鉛端子鍍層
- 無鹵素
應(yīng)用范圍
- 多相位同步降壓轉(zhuǎn)換器
- 高頻應(yīng)用
- 高電流、低占空比應(yīng)用
- 負(fù)載點(diǎn) (POL) 直流 - 直流轉(zhuǎn)換器
- 內(nèi)存和圖形卡
- 臺式機(jī)和服務(wù)器 VR11.x / VR12.x V 內(nèi)核和存儲器同步轉(zhuǎn)換器
CSD95372BQ5M NexFET 功率級的設(shè)計(jì)針對高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器中的使用進(jìn)行了高度優(yōu)化。 這個產(chǎn)品集成了驅(qū)動器集成電路 (IC) 和功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 來完善功率級開關(guān)功能。 這個組合在小型 5mm x 6mm 外形尺寸封裝中提供高電流、高效和高速開關(guān)功能。 它還集成了準(zhǔn)確電流感測和溫度感測功能，以簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)并提高準(zhǔn)確度。 此外，已經(jīng) PCB 封裝進(jìn)行了優(yōu)化以幫助減少設(shè)計(jì)時間并簡化總體系統(tǒng)設(shè)計(jì)的完成。
