采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的雙路共源極、27mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | -20 |
| VGS (V) | -6 |
| Configuration | Dual Common Source |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 27 |
| Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) | 39 |
| Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms) | 81 |
| Id peak (Max) (A) | -24 |
| Id max cont (A) | -3.9 |
| QG typ (nC) | 2.9 |
| QGD typ (nC) | 0.4 |
| QGS typ (nC) | 0.7 |
| VGSTH typ (V) | -0.8 |
| Package (mm) | WLP 1.5x1.5 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 3.9 |
| Logic level | Yes |
- 雙路 P 通道 MOSFET
- 共源配置
- 小型封裝尺寸 1.5mm x 1.5mm
- 柵極 - 源電壓鉗位
- 柵極靜電放電 (ESD) 保護大于 4kV
- 人體模型 (HBM) JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) JESD22-A114
- 無鉛且無鹵素
- 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用范圍
- 電池管理
- 電池保護
- 負載和輸入開關(guān)
CSD75207W15 器件設(shè)計用于在超薄且具有出色散熱特性的超小外形尺寸封裝內(nèi)產(chǎn)生盡可能低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。 低導(dǎo)通電阻與小型封裝尺寸和低高度結(jié)合在一起，使得此器件非常適合于電池供電運行的空間受限應(yīng)用。 此器件也已經(jīng)被授予美國專利 7952145，7420247，7235845 和 6600182。
