--- 產(chǎn)品詳情 ---
支持驅(qū)動背對背 NFET、具有高柵極驅(qū)動能力的 3V 至 65V、汽車?yán)硐攵O管控制器
| Vin (Min) (V) | 3 |
| Vin (Max) (V) | 65 |
| Number of channels (#) | 2 |
| Features | Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection |
| Iq (Typ) (mA) | 0.428 |
| Iq (Max) (mA) | 0.5 |
| FET | External back-to-back FET |
| IGate source (Typ) (uA) | 60000 |
| IGate sink (Typ) (mA) | 1500 |
| IGate pulsed (Typ) (A) | 2.6 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| VSense reverse (Typ) (mV) | -4.5 |
| Design support | EVM, Simulation Model |
| Rating | Automotive |
| VGS (Max) (V) | 15 |
- 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)
- 器件溫度等級 1: –40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
- 器件 HBM ESD 分類等級 2
- 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
- 3V 至 65V 輸入范圍
- 反向輸入保護(hù)低至 –65V
- 驅(qū)動外部背對背 N 溝道 MOSFET
- 9.1mV 陽極至陰極正向壓降調(diào)節(jié)下,理想二極管正常運(yùn)行
- 低反向檢測閾值 (–4mV),能夠快速響應(yīng) (0.5μs)
- 高達(dá) 200KHz 的有源整流
- 60mA 峰值柵極 (DGATE) 導(dǎo)通電流
- 2.6A 峰值 DGATE 關(guān)斷電流
- 集成 3.8mA 電荷泵
- 可調(diào)節(jié)過壓保護(hù)
- 2.87μA 低關(guān)斷電流(EN/UVLO = 低電平)
- 2.6A 峰值 DGATE 關(guān)斷電流
- 采用合適的 TVS 二極管,符合汽車 ISO7637 瞬態(tài)要求
- 采用節(jié)省空間的 12 引腳 WSON 封裝
LM74810-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動和控制外部背對背 N 溝道 MOSFET,從而模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源電壓可保護(hù)和控制 12V 和 24V 汽車類電池供電的 ECU。該器件可以承受并保護(hù)負(fù)載免受低至 –65V 的負(fù)電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (DGATE) 可驅(qū)動第一個 MOSFET 來代替肖特基二極管,以實(shí)現(xiàn)反向輸入保護(hù)和輸出電壓保持。具有 60mA 峰值柵極拉電流驅(qū)動器級以及短導(dǎo)通和關(guān)斷延遲時間的 3.8mA 強(qiáng)電荷泵可確??焖俚乃矐B(tài)響應(yīng),從而確保在汽車測試(如 ISO16750 或 LV124)期間實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健、高效的 MOSFET 開關(guān)性能,在汽車測試中 ECU 會收到輸入短時中斷以及頻率高達(dá) 200KHz 的交流疊加輸入信號。在電源路徑中使用了第二個 MOSFET 的情況下,該器件允許負(fù)載斷開(開/關(guān)控制)并使用 HGATE 控制提供過壓保護(hù)。該器件具有可調(diào)節(jié)過壓切斷保護(hù)功能,以提供負(fù)載突降保護(hù)。
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