產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 ZXGD3111N7 是一款 200V 有源 OR-ing MOSFET 控制器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)極低 RDS(ON)功率 MOSFET 作為理想二極管。這取代了標(biāo)準(zhǔn)整流器以減少正向壓降并整體提高功率傳輸效率。
ZXGD3111N7 可用于電壓軌高達(dá) ±200V 的高側(cè)和低側(cè)電源裝置 (PSU)。它使 RDS(ON)非常低的MOSFET 能夠作為理想二極管運(yùn)行，因?yàn)殛P(guān)斷閾值僅為3mV，容差為 ±2mV。在典型的 48V 配置中，待機(jī)功耗為＜50mW。電流＜1mA。在PSU故障情況下，OR’ing控制器檢測(cè)到功率降低，并在<600ns以阻斷反向電流并避開(kāi)公共總線電壓下降。
產(chǎn)品規(guī)格
符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn) 不
合規(guī)性（只有汽車(chē)支持 PPAP） 標(biāo)準(zhǔn)
電源電壓 V CC (V) 25伏
漏極電壓 V D (V) 200伏
源電流I SOURCE (A) 2個(gè)
灌電流 I SINK (A) 5個(gè)
關(guān)斷時(shí)間 (td2) (ns) 400 納秒
關(guān)斷時(shí)間 (tf) (ns) 131納秒
主要特征
用于高側(cè)或低側(cè) PSU 的有源 OR-ing MOSFET 控制器
降低正向壓降的理想二極管
-3mV 典型關(guān)斷閾值，具有 ±2mV 容差
200V 漏極電壓額定值
25V V CC額定值
<50mW 待機(jī)功耗，靜態(tài)電源電流 <1mA
<600ns 關(guān)斷時(shí)間以最大限度地減少反向電流
完全無(wú)鉛且完全符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
不含鹵素和銻?！熬G色”設(shè)備
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