--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類別 低飽和晶體管
- 合規(guī)性 汽車
- Polarity NPN
- VCEO, VCES 100
- IC (A) 5.5
- ICM (A) 10
- PD (W) 3
- fT (MHz) 150
- RCE(sat) 38
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 ZXTN19100CG 采用 SOT223 外形封裝的這種新型低飽和 NPN 晶體管具有極低的導(dǎo)通狀態(tài)損耗,使其非常適合用于 DC-DC 電路以及各種驅(qū)動和電源管理功能。
產(chǎn)品規(guī)格
類別 低飽和晶體管
合規(guī)性(只有汽車支持 PPAP) 汽車
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 100
IC (A) 5.5
ICM (A) 10
PD (W) 3
hFE (Min) 200
hFE (@ IC) (A) 0.1
hFE(Min 2) 130
hFE (@ IC2) (A) 1
VCE(sat) Max (mV) 140
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 1/20
VCE(sat) (Max.2) (mV) 430
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 5.5/550
fT (MHz) 150
RCE(sat) (mΩ) 38
主要特征
bvco>100伏
IC=5.5A連續(xù)集電極電流
ICM=10A峰值脈沖電流
低飽和電壓VCE(sat)<65mV@1A
低等效導(dǎo)通電阻時,RSAT=43mΩ@Ic=6A
hFE規(guī)定高達5.5A用于高增益保持
無鉛飾面;符合RoHS(注1和2)
不含鹵素和銻?!熬G色”裝置(注3)
符合AEC-Q101高可靠性標(biāo)準(zhǔn)
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