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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMC3032LFDB 互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMC3032LFDB

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMC3032LFDB
  • 名稱 互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 U-DFN2020-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMC3032LFDB 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMC3032LFDB 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON))同時(shí)保持卓越的切換性能,使其成為理想之選用于高效電源管理應(yīng)用。
車身控制電子設(shè)備
電源管理功能
DC-DC轉(zhuǎn)換器


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號(hào)            DMC3032LFDB
名稱            互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地            臺(tái)灣
封裝             U-DFN2020-6


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30, 30 V
|VGS| (±V) 20, 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 5.3, 3.4 A
PD @TA = +25°C (W) 1.28 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 30, 70 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 42, 100 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1.0, 1.0 V
|VGS(TH)| Max (V) 2.0, 2.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5.0, 4.0 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 10.6, 7.8 nC
CISS Typ (pF) 500, 336 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15, 25 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏


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