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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMC62D2SV 互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMC62D2SV

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMC62D2SV
  • 名稱 互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT563

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMC62D2SV 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMC62D2SV 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (R DS(ON)),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號(hào)            DMC62D2SV
名稱            互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地            臺(tái)灣
封裝             SOT563


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 60,60 V
|VGS| (±V) 20,20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.48,0.32 A
PD @TA = +25°C (W) 0.8 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 1700, 4000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 3000, 6000 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1,1 V
|VGS(TH)| Max (V) 2.5,3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.51,0.5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 1.04,1.1 nC
CISS Typ (pF) 41,40 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30,25 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低柵極閾值電壓
低輸入電容
開關(guān)速度快
超小型表面貼裝封裝


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