DMN30H14DLY N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

Diodes MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMN30H14DLY

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

品牌 DIODES
型號(hào) DMN30H14DLY
名稱(chēng) N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 SOT89

--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN30H14DLY 這種新一代MOSFET的設(shè)計(jì)目的是最大限度地降低狀態(tài)電阻（RDS（ON）），同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能，是高效電源管理的理想選擇應(yīng)用程序。

產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMN30H14DLY
名稱(chēng) N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 SOT89

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 300 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.21 A
PD @TA = +25°C (W) 2.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 14000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 20000 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 4 nC
CISS Typ (pF) 96 pF

主要特征
低柵極閾值電壓
低輸入電容
切換速度快

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立年電子科技

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