--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 N+P溝道
- 封裝 SOP8封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號(hào): CEM6659-VB
絲印: VBA5638
品牌: VBsemi
參數(shù):
- 溝道類型: N+P溝道 (同時(shí)包含N溝道和P溝道)
- 額定電壓: ±60V
- 最大電流: 6.5A (正向電流), -5A (反向電流)
- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)): 28mΩ @ 10V (正向電流), 51mΩ @ 10V (反向電流)
- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)): 34mΩ @ 4.5V (正向電流), 60mΩ @ 4.5V (反向電流)
- 門源電壓 (Vgs): ±20V
- 閾值電壓 (Vth): ±1.9V
- 封裝: SOP8

應(yīng)用簡(jiǎn)介:
CEM6659-VB是一種多功能溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET),同時(shí)包含N溝道和P溝道,具有高電壓容忍能力和低導(dǎo)通電阻。它適用于多種電子設(shè)備和應(yīng)用領(lǐng)域,具有以下主要應(yīng)用:
1. **電源開關(guān):** 由于其高電壓容忍能力和低導(dǎo)通電阻,CEM6659-VB可用作電源開關(guān),用于控制高電壓電源電路的開關(guān)。
2. **電流控制:** 這種雙溝道FET可用于電流控制應(yīng)用,例如電流限制器或電流源。
3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng):** 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中,CEM6659-VB可以用于控制電機(jī)的正向和反向運(yùn)轉(zhuǎn),特別是在需要高電壓的應(yīng)用中。
4. **電源逆變器:** 在逆變器應(yīng)用中,它可以用于將直流電源轉(zhuǎn)換為交流電源,適用于太陽能逆變器、UPS系統(tǒng)等。
5. **電子開關(guān):** 適用于各種電子開關(guān)應(yīng)用,如開關(guān)電源、電路斷開和開關(guān)電路。
這些應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋了廣泛的電子設(shè)備和模塊,包括但不限于電源管理模塊、電機(jī)控制模塊、逆變器、電子開關(guān)和電流控制器。CEM6659-VB的多功能性使其成為多種高電壓和電流應(yīng)用的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛