91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

NDT2955-VB場效應(yīng)管一款P溝道SOT223封裝的晶體管

型號: NDT2955-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOT223封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號: NDT2955-VB

絲印: VBJ2658

品牌: VBsemi

參數(shù):
- 封裝類型: SOT223
- 溝道類型: P-Channel
- 額定電壓: -60V
- 最大電流: -6.5A
- 開態(tài)電阻: RDS(ON) = 58mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓: Vth = -1~-3V

封裝: SOT223

**詳細(xì)參數(shù)說明:**
1. **封裝類型 (Package Type):** SOT223,表明該器件使用SOT223封裝。
2. **溝道類型 (Channel Type):** P-Channel,指示這是一個P溝道MOSFET。
3. **額定電壓 (Rated Voltage):** -60V,說明器件能夠正常工作的最大負(fù)電壓。
4. **最大電流 (Maximum Current):** -6.5A,表示器件能夠承受的最大電流,負(fù)號表示電流方向?yàn)閺穆O到源極。
5. **開態(tài)電阻 (On-State Resistance):** RDS(ON) = 58mΩ @ VGS=10V, VGS=20V,說明在特定的柵源電壓下,開態(tài)時的電阻。
6. **閾值電壓 (Threshold Voltage):** Vth = -1~-3V,表示在柵源電壓作用下,器件從關(guān)態(tài)切換到開態(tài)所需的最小電壓范圍。

**應(yīng)用簡介:**
NDT2955-VB是一款P-Channel MOSFET,適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域,包括但不限于:
1. **電源開關(guān):** 由于其P溝道性質(zhì),可用于電源開關(guān)、電池保護(hù)等電源管理模塊。
2. **電池保護(hù):** 適用于電池管理系統(tǒng),用于保護(hù)電池免受過放電和過充電的影響。
3. **功率逆變器:** 用于構(gòu)建功率逆變器,例如在太陽能逆變器和電機(jī)驅(qū)動器中。
4. **電流控制模塊:** 適用于需要對電流進(jìn)行精確控制的應(yīng)用,例如電源電流調(diào)節(jié)和電機(jī)驅(qū)動。

請注意,在具體設(shè)計(jì)中應(yīng)仔細(xì)參考該器件的數(shù)據(jù)手冊以及應(yīng)用手冊,以確保正確的使用和性能。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    517瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    439瀏覽量