--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8封裝
- 溝道 N+P—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號: BSO615CG-VB
絲印: VBA5638
品牌: VBsemi
參數(shù):
- N+P-Channel溝道
- ±60V
- 6.5A (正溝道), -5A (負(fù)溝道)
- RDS(ON)=28mΩ (正溝道), 51mΩ (負(fù)溝道) @ VGS=10V, VGS=20V
- Vth=±1.9V
封裝: SOP8

詳細(xì)參數(shù)說明:
BSO615CG-VB是一款N+P-Channel溝道混合功率MOSFET,可承受正負(fù)60V的工作電壓。正溝道額定電流為6.5A,負(fù)溝道額定電流為-5A。其靜態(tài)漏極-源極電阻(RDS(ON))在10V和20V的場效應(yīng)管柵極電壓下分別為28mΩ(正溝道)和51mΩ(負(fù)溝道),適用于高功率、雙向電流傳輸?shù)膽?yīng)用場景。閾值電壓(Vth)為±1.9V,具有良好的驅(qū)動特性。
應(yīng)用簡介:
BSO615CG-VB適用于多種領(lǐng)域和模塊,主要應(yīng)用包括:
1. 電動車充電樁: 在電動車充電樁中作為雙向電流傳輸?shù)墓β书_關(guān)元件,確保高效的充電和放電過程。
2. 電池管理系統(tǒng): 用于電動車、太陽能儲能系統(tǒng)等領(lǐng)域的電池管理模塊,實現(xiàn)對電池的高效充放電控制。
3. 可再生能源逆變器: 在太陽能逆變器、風(fēng)力發(fā)電逆變器等可再生能源逆變器中,作為功率開關(guān)元件,實現(xiàn)高效能的電能轉(zhuǎn)換。
4. 工業(yè)電源模塊: 用于工業(yè)控制設(shè)備、通信基站等領(lǐng)域的電源管理模塊,提供穩(wěn)定可靠的電力輸出。
舉例說明:
- 電動車充電樁: BSO615CG-VB可用于電動車充電樁中的功率開關(guān)模塊,實現(xiàn)高效的雙向電流傳輸。
- 可再生能源逆變器: 在太陽能逆變器中,BSO615CG-VB作為功率開關(guān)元件,確保太陽能電能向交流電的高效轉(zhuǎn)換。
- 電池管理系統(tǒng): 在電動車的電池管理模塊中使用BSO615CG-VB,實現(xiàn)對電池的高效充放電控制。
- 工業(yè)電源模塊: BSO615CG-VB可應(yīng)用于工業(yè)控制設(shè)備、通信基站等領(lǐng)域的電源管理模塊,提供穩(wěn)定可靠的電力輸出。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12