--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8封裝
- 溝道 2個P—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**產(chǎn)品型號:** CEM3407L-VB
**絲?。?* VBA4338
**品牌:** VBsemi
**參數(shù):**
- 溝道類型:2個P-Channel溝道
- 額定電壓:-30V
- 最大電流:-7A
- 導(dǎo)通電阻:RDS(ON)=35mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓:Vth=-1.5V
**封裝:** SOP8

**產(chǎn)品說明:**
CEM3407L-VB是VBsemi生產(chǎn)的P-Channel MOSFET,具有兩個P-Channel溝道,適用于各種低壓應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻和高可靠性使其成為電源管理、電池保護、電機驅(qū)動等領(lǐng)域的理想選擇。
**應(yīng)用簡介:**
1. **電源管理模塊:** CEM3407L-VB可用于電源管理模塊中的功率開關(guān),可實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電壓輸出。
2. **電池保護模塊:** 由于其高速開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻,CEM3407L-VB可用于電池保護模塊,確保電池充放電過程中的安全性和穩(wěn)定性。
3. **電機驅(qū)動模塊:** 在電機驅(qū)動領(lǐng)域,CEM3407L-VB可用作電機驅(qū)動器件,用于控制電機的啟停和轉(zhuǎn)速,提高電機的效率和性能。
4. **LED照明模塊:** 在LED照明應(yīng)用中,CEM3407L-VB可用作LED驅(qū)動器件,實現(xiàn)LED燈的亮度調(diào)節(jié)和電源管理,提高LED照明系統(tǒng)的能效和穩(wěn)定性。
通過以上應(yīng)用簡介,可以看出CEM3407L-VB適用于各種需要P-Channel MOSFET的低壓應(yīng)用領(lǐng)域,包括電源管理、電池保護、電機驅(qū)動和LED照明等模塊。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12