--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8封裝
- 溝道 2個N—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品型號:FW813-TL-E-VB
產(chǎn)品品牌:VBsemi
封裝類型:SOP8
絲?。篤BA3638
中文詳細(xì)參數(shù)說明:
- 通道類型:2個N-Channel溝道
- 工作電壓:60V
- 工作電流:6A
- 導(dǎo)通電阻:27mΩ(在VGS=10V和VGS=20V時)
- 閾值電壓:1.5V

應(yīng)用簡介:
FW813-TL-E-VB是一款具有2個N-Channel溝道的功率場效應(yīng)管,適用于高電壓和高性能電源管理應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻和高電流特性使其在各種場合下均能提供可靠的功率開關(guān)控制。
舉例說明:
1. 工業(yè)電子領(lǐng)域:FW813-TL-E-VB可用于工業(yè)電源模塊中的開關(guān)電源和DC-DC變換器,如工控機、服務(wù)器電源和通訊基站等設(shè)備。其高電壓和高電流特性可確保設(shè)備的穩(wěn)定運行和高效能量轉(zhuǎn)換。
2. 汽車電子領(lǐng)域:在汽車電子中,F(xiàn)W813-TL-E-VB可用于汽車電動系統(tǒng)中的電池管理模塊和驅(qū)動控制器,如電動汽車、混合動力汽車和電動摩托車等。其高電壓和低導(dǎo)通電阻特性可提供可靠的功率控制和驅(qū)動輸出,提升車輛性能和駕駛體驗。
3. 通信設(shè)備領(lǐng)域:在通信設(shè)備中,F(xiàn)W813-TL-E-VB可用于功率放大器、功率逆變器和DC-DC轉(zhuǎn)換器等模塊中,如基站、通信服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等。其高電壓和低導(dǎo)通電阻特性可提供高效的功率轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的輸出信號,提升設(shè)備的通信性能和可靠性。
通過在不同領(lǐng)域的應(yīng)用中,F(xiàn)W813-TL-E-VB可發(fā)揮其優(yōu)異的功率控制能力,滿足各種電源管理需求,并提升系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定性。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12