--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8封裝
- 溝道 2個N—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號: APM9945KC-TRL-VB
絲印: VBA3638
品牌: VBsemi
參數(shù):
- 2個N-Channel溝道
- 60V
- 6A
- RDS(ON)=27mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- Vth=1.5V
封裝: SOP8

詳細參數(shù)說明:
APM9945KC-TRL-VB是一款雙N-Channel溝道功率MOSFET,工作電壓高達60V,額定電流為6A。其靜態(tài)漏極-源極電阻(RDS(ON))在10V和20V的場效應(yīng)管柵極電壓下分別為27mΩ,適用于低壓降、高效能的應(yīng)用場景。閾值電壓(Vth)為1.5V,具有良好的驅(qū)動特性。
應(yīng)用簡介:
由于其高電壓、高電流和低導(dǎo)通電阻的特性,APM9945KC-TRL-VB適用于多種領(lǐng)域和模塊,包括但不限于:
1. 電源管理模塊:可用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和逆變器中,實現(xiàn)高效率的能量轉(zhuǎn)換。
2. 電機驅(qū)動器:適用于電動工具、無刷直流電機和電動車輛中的電機驅(qū)動器,提供穩(wěn)定的電力輸出。
3. LED照明控制:用于LED照明驅(qū)動器和照明控制模塊,提供高效的電力調(diào)節(jié)和亮度控制。
4. 電池管理系統(tǒng):可用于電池充放電保護電路和電池管理模塊,實現(xiàn)對電池的有效管理和保護。
舉例說明:
- 電源管理模塊: APM9945KC-TRL-VB可用于工業(yè)設(shè)備中的DC-DC轉(zhuǎn)換器,實現(xiàn)高效能的電能轉(zhuǎn)換。
- 電機驅(qū)動器: 在電動車輛的電機控制模塊中,APM9945KC-TRL-VB可用作電機驅(qū)動器,提供可靠的電力輸出。
- LED照明控制: 將APM9945KC-TRL-VB應(yīng)用于LED燈帶控制器,實現(xiàn)對LED燈光亮度的精確調(diào)節(jié)。
- 電池管理系統(tǒng): 在可穿戴設(shè)備中的電池管理模塊中使用APM9945KC-TRL-VB,確保對電池的安全充放電管理。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12