型號: LNTR4003NLT1G-VB

絲印: VB1330

品牌: VBsemi

參數(shù):
- 封裝類型: SOT23
- 溝道類型: N-Channel
- 額定電壓: 30V
- 額定電流: 6.5A
- 開通電阻: RDS(ON) = 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓: Vth = 1.2~2.2V

封裝: SOT23

詳細參數(shù)說明和應用簡介:

LNTR4003NLT1G-VB是一款N-Channel溝道場效應晶體管，封裝為SOT23。該器件具有30V的額定電壓，6.5A的額定電流，以及低的開通電阻（RDS(ON) = 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V）。閾值電壓Vth在1.2~2.2V范圍內(nèi)。

**應用領域:**
1. **電源管理模塊:** 適用于電源開關和調(diào)節(jié)電路，提供高效的功率轉換。
2. **電機驅(qū)動:** 在電機控制和驅(qū)動模塊中，用于實現(xiàn)高效的電機運行。
3. **LED驅(qū)動:** 在LED照明應用中，可用于控制和調(diào)節(jié)LED的亮度。
4. **電源逆變器:** 用于制造高效的逆變器，將直流電源轉換為交流電源。

LNTR4003NLT1G-VB適用于需要高性能N-Channel溝道MOSFET的多種應用，包括但不限于上述提到的領域。其性能特點使其成為各種電子系統(tǒng)中的理想選擇。