產(chǎn)品型號: NTMD6N04R2G-VB
品牌: VBsemi
絲印: VBA3638
參數(shù):
- 溝道類型: 2個N-Channel
- 額定電壓: 60V
- 額定電流: 6A
- 導通電阻: RDS(ON)=27mΩ@VGS=10V,VGS=20V
- 門閾電壓: Vth=1.5V
封裝: SOP8

詳細參數(shù)說明：
NTMD6N04R2G-VB是一款N-Channel溝道MOSFET，具有兩個溝道。其額定工作電壓為60V，最大額定電流為6A。在VGS=10V和VGS=20V時，其導通電阻為27mΩ。門閾電壓為1.5V。該產(chǎn)品封裝為SOP8，方便安裝和使用。

應用簡介：
NTMD6N04R2G-VB適用于各種電子電路模塊和設備中。由于其N-Channel溝道特性，適用于負載開關、電源管理、電池保護等領域。例如，可用于電源逆變器、直流-直流轉換器、電池充放電管理模塊等。在這些應用中，NTMD6N04R2G-VB可作為開關管，用于控制電流流動，并保護電路元件免受過載和短路等問題的損壞。