--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8封裝
- 溝道 N+P—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**產(chǎn)品型號(hào):** QM4306S-VB
**絲印:** VBA5415
**品牌:** VBsemi
**參數(shù):**
- N+P—Channel溝道, ±40V
- 額定電流: 8A(N通道)/-7A(P通道)
- RDS(ON): 15mΩ @ VGS=10V, 19mΩ @ VGS=20V
- 閾值電壓(Vth): ±1.8V
**封裝:** SOP8

**應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
QM4306S-VB是一款高性能N+P-Channel溝道MOSFET,專為要求卓越功率控制的電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)。以下是該產(chǎn)品的詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明和應(yīng)用簡(jiǎn)介:
1. **電源管理系統(tǒng):**
- 適用于開關(guān)電源、穩(wěn)壓器和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
- 低導(dǎo)通電阻和高額定電流使其成為電源管理系統(tǒng)中的理想選擇。
2. **電動(dòng)工具和汽車電子:**
- 在電動(dòng)工具和汽車電子中發(fā)揮關(guān)鍵作用。
- 能夠處理高電壓和大電流,為電動(dòng)工具和汽車電子提供可靠的功率控制。
3. **太陽(yáng)能逆變器:**
- 用于太陽(yáng)能逆變器和光伏發(fā)電系統(tǒng)。
- 優(yōu)異的RDS(ON)性能有助于提高太陽(yáng)能系統(tǒng)的能量轉(zhuǎn)換效率。
**舉例說(shuō)明:**
QM4306S-VB可廣泛用于電源管理系統(tǒng)、電動(dòng)工具和汽車電子,以及太陽(yáng)能逆變器。在開關(guān)電源和穩(wěn)壓器中,其高性能確保了電源管理系統(tǒng)的卓越性能。對(duì)于電動(dòng)工具和汽車電子,其能夠處理高電壓和大電流,為這些應(yīng)用提供可靠的功率控制。在太陽(yáng)能逆變器中,其優(yōu)異的RDS(ON)性能有助于提高太陽(yáng)能系統(tǒng)的能量轉(zhuǎn)換效率。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛