銅金屬化過程中，氮化硅薄層通常作為金屬層間電介質(zhì)層（IMD）的密封層和刻蝕停止層。而厚的氮化硅則用于作為IC芯片的鈍化保護電介質(zhì)層（Passivation Dielectric, PD）。下圖顯示了
2022-10-17 09:29:59
14081 一、試驗的目的和意義 1、 電介質(zhì)又稱絕緣介質(zhì)，也就是絕緣材料。絕緣材料在電場的作用下，總會流過一定的電流，以發(fā)熱的形式產(chǎn)生能量損耗。在電壓的作用下，電介質(zhì)中產(chǎn)生的損耗稱為介質(zhì)損耗。如果介質(zhì)損耗很多
2023-09-24 15:14:403946 
干法刻蝕技術(shù)是一種在大氣或真空條件下進行的刻蝕過程，通常使用氣體中的離子或化學(xué)物質(zhì)來去除材料表面的部分，通過掩膜和刻蝕參數(shù)的調(diào)控，可以實現(xiàn)各向異性及各向同性刻蝕的任意切換，從而形成所需的圖案或結(jié)構(gòu)
2024-01-20 10:24:5616123 
`1.介質(zhì)損耗因數(shù)的定義 絕緣介質(zhì)在交流電壓作用下,電介質(zhì)中的部分電能將轉(zhuǎn)變成熱能,這部分能量稱為電介質(zhì)損耗,介質(zhì)損耗因數(shù)一般用正切值tanδ表示。電介質(zhì)損耗由電導(dǎo)損耗、游離損耗和極化損耗三部
2020-09-21 21:55:48
定義變量假設(shè)介質(zhì)的相對電介質(zhì)常數(shù)和相對磁導(dǎo)率分別為：Epslr = 4 - 0.3 iMiur = 1.2 - 0.6i則有：材料 1 復(fù)數(shù)介電常數(shù)-實部：epsr1_r = 4材料 1 復(fù)數(shù)
2019-05-21 06:06:05
AOE刻蝕氧化硅可以，同時這個設(shè)備可以刻蝕硅嗎？大致的氣體配比是怎樣的，我這里常規(guī)的刻蝕氣體都有，但是過去用的ICP，還沒有用過AOE刻蝕硅，請哪位大佬指點一下，謝謝。
2022-10-21 07:20:28
AR增強現(xiàn)實技術(shù)解讀
2021-01-26 06:29:13
發(fā)熱而損耗了電能。這種因電導(dǎo)而引起的介質(zhì)損耗稱為“漏導(dǎo)損耗”。由于實際的電介質(zhì)總存在一些缺陷，或多或少存在一些帶電粒子或空位，因此介質(zhì)不論在直流電場或交變電場作用下都會發(fā)生漏導(dǎo)損耗。
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2025-04-21 10:49:27
工藝。也可采用扁平線工藝來構(gòu)建設(shè)計的產(chǎn)品堅固耐用，適用于惡劣環(huán)境，提供FEP全氟共聚物絕緣，僅提供導(dǎo)體或絕緣基，不同導(dǎo)線可以有最大3倍的外徑差異，導(dǎo)體間距可變最大寬度為76.20毫米(3英寸);更可
2024-08-12 11:12:42
蒸發(fā)，所以刻蝕要在一個裝有冷卻蓋的密封回流容器中進行。主要問題是光刻膠層經(jīng)不起刻蝕劑的溫度和高刻蝕速率。因此，需要一層二氧化硅或其他材料來阻擋刻蝕劑。這兩個因素已導(dǎo)致對于氮化硅使用干法刻蝕技術(shù)。蒸汽刻蝕
2018-12-21 13:49:20
嗨，我正在嘗試使用兩種材料定義基板，如附圖所示，用于ADS EM仿真。據(jù)我所知，我需要為此定義電介質(zhì)通路，但我想知道是否有人可以建議如何完成。非常感謝，Mojtaba編輯：Mojtaba77于
2018-12-24 16:46:36
隨著示波器帶寬需求的不斷提升和數(shù)字處理技術(shù)的發(fā)展，示波器里越來越多地采用了帶寬增強技術(shù)，帶寬增強技術(shù)可以在相同硬件成本的情況下提供更高的帶寬。那么，這種技術(shù)是如何實現(xiàn)的，實用中對信號測量會有
2018-04-03 10:34:04
隨著示波器帶寬需求的不斷提升和數(shù)字處理技術(shù)的發(fā)展，示波器里越來越多地采用了帶寬增強技術(shù)，帶寬增強技術(shù)可以在相同硬件成本的情況下提供更高的帶寬。那么，這種技術(shù)是如何實現(xiàn)的，實用中對信號測量會有
2018-04-04 09:17:01
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 編輯
釋放MEMS機械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35
2013-11-04 11:51:00
金屬化技術(shù)
原理
在電介質(zhì)膜上，鍍上很薄的金屬層，如果電介質(zhì)
出現(xiàn)短路，金屬鍍層會因此而揮發(fā)并將短路的地
方隔離開來。
2008-07-17 10:20:15
27 周期介質(zhì)膜壓縮光柵中的導(dǎo)模共振效應(yīng):使用禍合波法以及特征矩陣法計算了周期膜堆結(jié)構(gòu)以及介質(zhì)壓縮光柵的本征值，研究了介質(zhì)型壓縮光柵產(chǎn)生導(dǎo)模共振現(xiàn)象的條件，并計算了導(dǎo)
2009-10-26 16:52:3212 文章對于第三代短波ALE（快速鏈路建立）進行了研究，對其中的關(guān)鍵技術(shù)進行了討論.并在美軍3G-ALE 標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)上，根據(jù)短波信道的傳播特性，針對窄帶接收的短波快速跳頻通信
2010-01-27 11:56:1522 新型鍍膜技術(shù)實現(xiàn)高性能介質(zhì)膜光學(xué)元件
2010-12-28 17:12:010 品詳情：Agilent 16451B精確測量與評估電介質(zhì)材料，與ASTM d150兼容。Agilent 16451B采用平行極板技術(shù)，將被測材料夾于兩電極間形成電容
2024-06-19 17:29:46
描述Agilent 16451B測量與評估電介質(zhì)材料，與ASTM D150兼容。Agilent 16451B采用平行極板技術(shù)，將被測材料夾于兩電極間形成電容器。然后使用LCR表或抗阻分析儀測量由夾具
2024-09-04 15:37:03
Agilent16451B 電介質(zhì)材料測試夾、、商品詳情：Agilent 16451B精確測量與評估電介質(zhì)材料，與ASTM d150兼容。Agilent 16451B采用平行極板技術(shù)，將被測材料夾于
2024-11-18 17:34:34
CH21型金屬化復(fù)合介質(zhì)膜電容器
CH21 型金屬化復(fù)合膜介質(zhì)電容器采用金屬化復(fù)合膜卷繞而成，樹脂浸涂包封，單向引出，具有電容量穩(wěn)定、溫度系數(shù)小的特點，適用于精密儀
2009-08-21 17:25:091000 鍍復(fù)SiO2膜的電容器介質(zhì)膜
成功一種能在幾百小時連續(xù)沉積SiO2膜的新穎電子束蒸發(fā)裝置，獲國家發(fā)明專利，在此基礎(chǔ)上
2009-12-08 09:03:32917 高介電常數(shù)柵電介質(zhì)和金屬柵極技術(shù)(以下簡稱HKMG)使摩爾定律在45/32納米節(jié)點得以延續(xù)。目前的HKMG工藝有兩種主流整合方案，分別是先柵極和后柵極。后柵極又稱為可替換柵極(以下簡稱
2012-05-04 17:11:518073 
比利時微電子研究中心IMEC的研究人員們已經(jīng)開發(fā)出一種納米級的氧化鋁鉿電介質(zhì)（HfAlO/Al2O3/HfAlO）堆迭，這種具氮化硅/氮化鈦混合浮閘的閘間電介質(zhì)可用于平面 NAND Flash 結(jié)構(gòu)中，并可望推動NAND flash在20nm及其以下先進制程進一步微縮。
2013-06-26 09:37:041526 全球領(lǐng)先的全套互連產(chǎn)品供應(yīng)商Molex公司已經(jīng)推出微波電纜組件，其中利用了Temp-Flex?空氣電介質(zhì)（air-dielectric）超低損耗（ultra-low-loss）柔性微波同軸電纜
2013-07-25 11:41:483190 某項目在進行ESD測試當(dāng)中，當(dāng)靜電槍靠近塑膠機器浮地產(chǎn)品的外殼進行空氣放電時12KV，機器容易死機，重啟或者VDD損壞。本文避重就輕，由EMC的點，來折射出EMC的面與體，我們選擇了材料與器件
2018-05-18 02:19:004392 
本文將介紹MDTV用變頻芯片電介質(zhì)天線的電感器選定示例。變頻芯片電介質(zhì)天線改變天線的諧振頻率，涵蓋了超過相對帶寬50%的470-800MHz頻段。采用變?nèi)荻O管來改變頻率，按頻道切換頻率。由于本天線實現(xiàn)了小型化，因此可以采用LQW系列，內(nèi)置于手機終端內(nèi)。
2018-01-13 09:34:0811660 耐高溫聚合物電介質(zhì)材料的發(fā)展歷史、結(jié)構(gòu)特性以及應(yīng)用研究等方面進行了綜述。重點介紹了耐高溫聚合物電介質(zhì)材料在軌道交通牽引電機、新能源電力設(shè)備以及航空航天電氣設(shè)備等電工絕緣領(lǐng)域中的應(yīng)用狀況。最后對耐高溫聚合物
2018-01-15 11:31:350 介電常數(shù)是電介質(zhì)物理里面常見的一物理概念，但是物理意義不是十分清楚，是些書本上說，介電常數(shù)表征的是電介質(zhì)的束縛電荷的能力，也可表征材料的絕緣性能，介電常數(shù)越大，束縛電荷的能力越強，材料的絕緣性能越好，既然介電常數(shù)越大。
2018-03-07 16:16:33318473 
，電介質(zhì)要消耗部分電能，這部分電能將轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮墚a(chǎn)生損耗。這種能量損耗叫做電介質(zhì)的損耗。當(dāng)電介質(zhì)上施加交流電壓時，電介質(zhì)中的電壓和電流間存在相角差Ψ，Ψ的余角δ稱為介質(zhì)損耗角，δ的正切tgδ稱為介質(zhì)損耗角正切。tgδ值是用來衡量電介質(zhì)損耗的參數(shù)。儀器測量線路包括一標(biāo)準(zhǔn)回路（Cn）和一被試回路（Cx）。
2018-03-20 10:24:042820 本文主要介紹了介質(zhì)損耗測試儀工作原理。介質(zhì)損耗測試儀測量方式及原理、介質(zhì)損耗計算公式。在交流電壓作用下，電介質(zhì)要消耗部分電能，這部分電能將轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮墚a(chǎn)生損耗。這種能量損耗叫做電介質(zhì)的損耗。當(dāng)電介質(zhì)上
2018-03-20 11:08:2922116 高儲能密度和高可靠性電介質(zhì)儲能材料在各種電力、電子系統(tǒng)中扮演著越來越重要的角色，特別是在高能脈沖功率技術(shù)領(lǐng)域有著不可替代的應(yīng)用。
2018-07-16 11:02:044826 ），Planar fxP，在單一產(chǎn)品平臺上提供0.1微米生產(chǎn)的完整介電路線圖。 Planar fxP采用Trikon專利的Flowfill和Low k Flowfill技術(shù)，用于標(biāo)準(zhǔn)和低k金屬間電介質(zhì)
2020-02-14 11:07:442627 電容的電介質(zhì)承受的電場強度是有一定限度的，當(dāng)被束縛的電荷脫離了原子或分子的束縛而參與導(dǎo)電，就破壞了絕緣性能，這一現(xiàn)象稱為電介質(zhì)的擊穿。
2019-08-07 17:01:5112466 固體介質(zhì)廣泛用作電氣設(shè)備的內(nèi)絕緣，常見的有絕緣紙、紙板、云母、塑料等。高壓導(dǎo)體總是需要用固體絕緣材料來支持或懸掛，這種固體絕緣稱為絕緣子，而用于制造絕緣子的固體介質(zhì)有電瓷、玻璃、硅橡膠等。
2019-11-30 16:31:3015677 電介質(zhì)物理學(xué)的相關(guān)知識，這是做電介質(zhì)材料的基礎(chǔ)，它對各章節(jié)的內(nèi)容根據(jù)教學(xué)經(jīng)驗進行了精選，物理圖象和基本概念解釋的清晰透徹。而且內(nèi)容中涉及到了量子力學(xué)，統(tǒng)計物理學(xué)，熱力學(xué)，電動力學(xué)，固體物理和半導(dǎo)體科學(xué)等.
2020-05-28 08:00:0071 電阻、氧化物漏電、氧化物與半導(dǎo)體間不希望有的損耗介電薄層、多晶硅耗盡層和表面粗糙度等等的影響。減少納米級MOS器件中柵極漏電的迫切需求刺激了用高k電介質(zhì)替代SiON的努力。但是，將高k電介質(zhì)引入生產(chǎn)線將再次引起C-V測量曲線積累區(qū)處的頻率離散。到目前為止，頻率離散的準(zhǔn)確來源仍有待討論。
2020-08-13 14:44:001061 
在集成電路的制造過程中，刻蝕就是利用化學(xué)或物理方法有選擇性地從硅片表面去除不需要的材料的過程。從工藝上區(qū)分，刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。前者的主要特點是各向同性刻蝕；后者是利用等離子體來進行
2020-12-29 14:42:5811752 
薄膜電容的分類介紹 電介質(zhì)分類 按電介質(zhì)的不同可將薄膜電容器分為以下三種類型： T型：即PET –Polyethylene(聚乙烯對苯二酸鹽（或酯）)P型：即PP-Polypropylene（聚丙烯
2021-05-25 00:18:572839 平時所看到的電容器，雖然外表體型很小，但是內(nèi)部卻另有乾坤，現(xiàn)在市場的電容器，大多數(shù)規(guī)格和尺寸都是差不多的，所以更多是比拼的是內(nèi)部質(zhì)量，而電介質(zhì)作為核心產(chǎn)品原料，它的質(zhì)量和發(fā)揮會直接影響到電容的優(yōu)劣勢。很負責(zé)任的告訴各位，對于電介質(zhì)的了解很重要，尤其是注意電介質(zhì)的意外和相關(guān)處理方法。
2021-06-17 14:34:131099 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ti)EVAL-ADMP621-FLEX相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有EVAL-ADMP621-FLEX的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，EVAL-ADMP621-FLEX真值表，EVAL-ADMP621-FLEX管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-08-31 15:00:03
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ti)EVAL-ADMP521-FLEX相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有EVAL-ADMP521-FLEX的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，EVAL-ADMP521-FLEX真值表，EVAL-ADMP521-FLEX管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-08-31 17:00:04
與發(fā)展現(xiàn)狀，重點討論了導(dǎo)熱填料、界面相容、成型工藝對材料導(dǎo)熱系數(shù)的影響，最后結(jié)合導(dǎo)熱聚酰亞胺復(fù)合電介質(zhì)材料未來發(fā)展的需要，對研究中存在的一些關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問題進行了總結(jié)與展望。
2022-11-11 15:13:573923 陶瓷電容器是以陶瓷材料為電介質(zhì)的電容器的總稱。品種繁多，尺寸差異很大。按電壓可分為高壓、中壓、低壓陶瓷電容器。根據(jù)溫度系數(shù)，介電常數(shù)可分為負溫度系數(shù)、正溫度系數(shù)、零溫度系數(shù)、高介電常數(shù)和低介電常數(shù)
2023-03-08 14:40:008153 
工業(yè)網(wǎng)絡(luò)通信新概念及FLEX產(chǎn)品介紹
2023-03-08 10:57:123482 
據(jù)麥姆斯咨詢報道，近期，國科大杭州高等研究院物理與光電工程學(xué)院邵建達教授工作室和浙江大學(xué)光電學(xué)院沈偉東教授課題組聯(lián)合提出一種基于全電介質(zhì)緊湊薄膜結(jié)構(gòu)的計算重構(gòu)微型光譜儀。
2023-04-27 15:36:292298 
電介質(zhì)材料快速且高效的導(dǎo)熱散熱已成為影響電子設(shè)備發(fā)展的關(guān)鍵問題。傳統(tǒng)聚酰亞胺本征導(dǎo)熱系數(shù)較低，限制了在電氣設(shè)備、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域中的應(yīng)用，發(fā)展新型高導(dǎo)熱聚酰亞胺電介質(zhì)
2022-09-15 10:26:336329 
對于先通孔的過程，首先沉積通孔刻蝕停止層(ESL)的層間介質(zhì)(ILD)、低k電介質(zhì)、溝槽ESL、低k電介質(zhì)的和覆蓋層(下圖(a))。
2023-08-14 10:22:563034 
一、電介質(zhì)的損耗 介質(zhì)損耗是指絕緣材料在電場作用下，由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng)，在其內(nèi)部引起的能量損耗。介質(zhì)損耗也叫介質(zhì)損失，簡稱介損。表征某種絕緣材料的介質(zhì)損耗，一般不用W或J等單位來表示
2023-09-24 16:08:319559 一、電介質(zhì)的電導(dǎo) 電介質(zhì)的電導(dǎo)可分為離子電導(dǎo)和電子電導(dǎo)，離子電導(dǎo)以離子為載流體，電子電導(dǎo)以自由電子為載流體。 1、離子電導(dǎo) 實際工程上所用的電介質(zhì)多少含有一些雜質(zhì)離子，這些離子與電介質(zhì)分子聯(lián)系非常弱
2023-09-26 16:47:534423 在半導(dǎo)體制造中，刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術(shù)各有優(yōu)勢，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關(guān)重要的。
2023-09-26 18:21:0010325 
電介質(zhì)是能夠被電極化的絕緣體。電介質(zhì)的帶電粒子是被原子、分子的內(nèi)力或分子間的力緊密束縛著，因此這些粒子的電荷為束縛電荷。
2023-11-10 09:33:031251 
信號如何在無限大的導(dǎo)電介質(zhì)中傳播
2023-11-24 16:06:161798 
使用SEMulator3D?工藝步驟進行刻蝕終點探測 作者：泛林集團 Semiverse Solutions 部門軟件應(yīng)用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導(dǎo)體行業(yè)一直專注于使用先進的刻蝕
2024-01-19 16:02:421233 
?Discharge），通常指電氣設(shè)備中部分區(qū)域的電介質(zhì)在電場作用下發(fā)生的非貫穿性放電現(xiàn)象，它往往是絕緣劣化和電氣故障的先兆。 要理解局部放電，就得知道什么是電介質(zhì)。在電力系統(tǒng)中，電介質(zhì)是一種用于隔離電流、防止短路的材料。電纜中的電介質(zhì)通常是
2024-04-09 18:37:501041 近日，ROHM亮相第十九屆汽車燈具產(chǎn)業(yè)發(fā)展技術(shù)論壇暨上海國際汽車燈具展覽會（簡稱ALE），展出了包括LED驅(qū)動器、高耐壓MOSFET在內(nèi)的多種產(chǎn)品及各類車燈解決方案。
2024-07-17 15:46:372104 
原理、工藝和應(yīng)用場景上有所不同。 濕法刻蝕 濕法刻蝕是利用化學(xué)溶液（如氫氧化鈉、氫氟酸等）與PDMS發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而去除PDMS材料的一種方法。該方法通常在常溫或加熱條件下進行，刻蝕速率和深度可以通過溶液濃度、溫度和刻蝕時間
2024-09-27 14:46:431079 由中韓電介質(zhì)材料及其應(yīng)用會議委員會主辦，寧波大學(xué)與桂林理工大學(xué)共同承辦的“第七屆中韓電介質(zhì)材料及其應(yīng)用會議”將于2024年10月18日-21日在浙江寧波-開元名都大酒店召開，屆時Aigtek安泰電子
2024-10-10 08:00:22837 
主要介紹幾種常用于工業(yè)制備的刻蝕技術(shù)，其中包括離子束刻蝕（IBE）、反應(yīng)離子刻蝕（RIE）、以及后來基于高密度等離子體反應(yīng)離子的電子回旋共振等離子體刻蝕（ECR）和電感耦合等離子體刻蝕（ICP）。
2024-10-18 15:20:413335 
一下！ 濕法刻蝕是一種利用化學(xué)反應(yīng)對材料表面進行腐蝕刻蝕的微納加工技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光學(xué)器件和生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。 濕法刻蝕的步驟包括以下內(nèi)容： 準(zhǔn)備工作 準(zhǔn)備刻蝕液和設(shè)備：刻蝕液通常為酸性或堿性溶液，根據(jù)待加
2024-12-13 14:08:311390 ????? ALE，英文名Atomic Layer Etching，中文名原子層刻蝕。是和ALD相對的，均是自限性反應(yīng)，一個是沉積一個是刻蝕。ALD是每個循環(huán)只沉積一層原子，ALE是每個循環(huán)只刻蝕
2024-12-20 14:15:091780 
本文介紹了什么是原子層刻蝕（ALE, Atomic Layer Etching）。 1.ALE 的基本原理：逐層精準(zhǔn)刻蝕? 原子層刻蝕（ALE）是一種基于“自限性反應(yīng)”的納米加工技術(shù)，其特點是以單
2025-01-20 09:32:431280 
ALD 和 ALE 是微納制造領(lǐng)域的核心工藝技術(shù)，它們分別從沉積和刻蝕兩個維度解決了傳統(tǒng)工藝在精度、均勻性、選擇性等方面的挑戰(zhàn)。兩者既互補又相輔相成，未來在半導(dǎo)體、光子學(xué)、能源等領(lǐng)域的聯(lián)用將顯著加速
2025-01-23 09:59:542208 
產(chǎn)業(yè)界之間的學(xué)術(shù)交流與合作，推動我國電介質(zhì)理論研究、新型電介質(zhì)材料開發(fā)、電介質(zhì)相關(guān)元器件應(yīng)用研究開發(fā)的知識創(chuàng)新、技術(shù)創(chuàng)新以及產(chǎn)業(yè)發(fā)展，推動電子元器件與材料的產(chǎn)學(xué)研結(jié)
2025-04-22 18:27:521107 
芯片刻蝕是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，用于將設(shè)計圖案從掩膜轉(zhuǎn)移到硅片或其他材料上，形成電路結(jié)構(gòu)。其原理是通過化學(xué)或物理方法去除特定材料（如硅、金屬或介質(zhì)層），以下是芯片刻蝕的基本原理和分類： 1. 刻蝕
2025-05-06 10:35:311972
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