今天寫(xiě)兩個(gè)電路設(shè)計(jì)失誤，第一個(gè)是由于電流增益不夠引起的，該電路是參考別的設(shè)計(jì)者引發(fā)的，看了之后可以了解一些知識(shí)。

　　第一個(gè)失誤的主要原因是，設(shè)計(jì)者錯(cuò)誤估算了R1的大小。其設(shè)計(jì)的值太大，導(dǎo)致Ib太小。

　　這里把等效的模型轉(zhuǎn)換成如下：

　　以上的模型描述了輸入和輸出的模型，正式計(jì)算的分成兩個(gè)部分。

　　求解基極電流Ib

　　求解集電極電流Ic

　　求解放大比例

　　通過(guò)這個(gè)比例可得到三極管的狀態(tài)，如果在線(xiàn)性區(qū)，則三極管的管壓降Vce是變化的，這就導(dǎo)致了邏輯的問(wèn)題。這種錯(cuò)誤就是，某種狀態(tài)識(shí)別不出來(lái)。

　　從某種角度來(lái)看，這其實(shí)是一個(gè)電平轉(zhuǎn)換的問(wèn)題，只不過(guò)用三極管隔離了一下而已。

　　反正我個(gè)人不推薦這種接法，因?yàn)橄拗铺髸?huì)導(dǎo)致三極管欠飽和，進(jìn)入線(xiàn)性區(qū)。如果限流太小，則在高頻脈沖浪涌沖擊下會(huì)失效。

　　現(xiàn)在越來(lái)越多的采用專(zhuān)用接口電路來(lái)處理這種電路，不過(guò)因?yàn)榭赡艽嬖谥苯佣搪返降鼗蛘?a target="_blank">電源的錯(cuò)誤（ISO16750-2規(guī)定的）。因此這個(gè)問(wèn)題就很棘手了，輸入部分其實(shí)都是大問(wèn)題，因?yàn)槟阌肋h(yuǎn)不想在信號(hào)進(jìn)入的時(shí)候就是錯(cuò)誤的。

　　原本設(shè)計(jì)的好好的電路，由于開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻變化，導(dǎo)致電路對(duì)這個(gè)參數(shù)變化起不了調(diào)節(jié)作用，因此原本有效的信號(hào)，在MCU處理過(guò)程中完全成了無(wú)效的信號(hào)了。

　　開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻值主要取決于開(kāi)關(guān)觸頭的接觸電阻。接觸電阻值是開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)接觸工作性能的最基本參數(shù)，接觸電阻的大小直接反映開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)接觸的可靠性。

　　實(shí)際上接觸電阻隨著開(kāi)關(guān)的老化和磨損，導(dǎo)通電阻是有變化的。國(guó)外的整車(chē)商都規(guī)定了開(kāi)關(guān)的最壞的導(dǎo)通電阻的情況，在國(guó)內(nèi)一般不會(huì)考慮這個(gè)阻值（一般也無(wú)法控制的太精確。）

　　需要注意的是，現(xiàn)在我們看到的開(kāi)關(guān)里面的導(dǎo)通電阻參數(shù)，一般是通過(guò)測(cè)量開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻值。

　　而比較正規(guī)的做法是，需要通過(guò)老化實(shí)驗(yàn)，測(cè)量導(dǎo)通電阻，估計(jì)觸頭的磨損程度和回路的接觸情況，從而預(yù)測(cè)觸頭的壽命。（老化實(shí)驗(yàn)）

　　因此設(shè)計(jì)的時(shí)候需要有足夠的余量，有兩條原則。

　　第一條，設(shè)想你可能遇到的最壞的情況，在這個(gè)條件下去設(shè)計(jì)。

　　第二條，努力保證模塊不會(huì)進(jìn)入最壞的條件模式。