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英飛凌推出高功率密度和高可靠性的汽車級品質功率模塊

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2023-07-04 10:48:051221

IGBT功率模塊散熱基板的作用及種類 車規(guī)IGBT功率模塊的散熱方式

IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過高導致的熱應力,良好的熱管理對于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。新能源汽車電機控制器是典型的功率密度部件,且功率密度隨著對新能源汽車性能需求的提高仍在
2023-08-23 09:33:233280

英飛凌如何控制基于SiC功率半導體器件的可靠性呢?

英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:492169

模塊如何實現(xiàn)盡可能功率密度

的高效率、功率密度高可靠性的挑戰(zhàn)需要通過持續(xù)的模塊改進來支持。阻斷電壓為 1700V 和 3300V 的全 SiC MOSFET 模塊已從研究階段成功開發(fā)到量產,并滿足最高的牽引質量、可靠性和性能標準。 封裝和芯片移位 近年來,下一代功率
2023-10-24 16:11:301871

聊一聊英飛凌DSC(雙面水冷)的車規(guī)模塊

新能源汽車向著功率密度高可靠性的方向發(fā)展,為了滿足這方面的需求,功率模塊無論從電氣性能(Si基和WBG材料的芯片)還是封裝(低雜散電感,先進的互連技術,優(yōu)異性能的封裝材料和散熱性能)等方向開始往更高“極致”出發(fā)。
2023-10-30 11:09:092551

提高4.5kV IGBT模塊功率密度

提高4.5kV IGBT模塊功率密度
2023-11-23 15:53:382051

功率半導體冷知識:功率器件的功率密度

功率半導體冷知識:功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:451652

大聯(lián)大推出3.3KW功率密度雙向相移全橋方案

2024年1月4日,致力于亞太地區(qū)市場的領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布其旗下品佳推出基于英飛凌(Infineon)XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS MOSFET的3.3KW功率密度雙向相移全橋方案。
2024-01-05 09:45:011489

英飛凌推出密度功率模塊,為AI數(shù)據(jù)中心降本增效

隨著人工智能(AI)技術的飛速發(fā)展,全球數(shù)據(jù)生成量呈現(xiàn)出爆炸式增長,進而推動了芯片對能源需求的急劇上升。在這一背景下,英飛凌科技近日宣布推出TDM2254xD系列雙相功率模塊,旨在為AI數(shù)據(jù)中心提供卓越的功率密度、質量和總體成本(TCO)優(yōu)化方案。
2024-03-12 09:58:241529

英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V,在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度

英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiCMOSFET2000V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度
2024-03-20 08:13:051068

翠展微新能源汽車功率模塊的關鍵技術突破與可靠性驗證

隨著新能源汽車的快速發(fā)展,功率模塊作為新能源汽車的能量轉換的裝置,其重要不言而喻。由于汽車的行駛環(huán)境非常復雜,車企對于功率模塊的振動要求也越來越高,因此對模塊封裝的可靠性提出了更高的要求。
2024-04-12 16:18:142511

利用SLC技術改善熱導率,增強IGBT模塊功率密度

第七代工業(yè)IGBT模塊已成功開發(fā)用于650V和1200V,以滿足高效率、功率密度高可靠性等重要電力電子系統(tǒng)要求。與低損耗第七代芯片組結合的SLC技術在熱循環(huán)能力、無“泵出故障”封裝和低熱阻
2024-08-01 10:58:011505

功率模塊中的激光焊接技術簡介

隨著我國新能源行業(yè)的迅猛發(fā)展,功率模塊作為新能源汽車的能量轉換的重要裝置,其重要不言而喻,并且功率模塊也在朝著耐高壓、耐大電流、功率密度高可靠性的方向發(fā)展。因此,推出一種最新的一體化逆變磚技術,具有更高的功率密度,更高的可靠性。
2024-08-05 10:57:401389

揭秘超高功率密度LED器件中的星技術

超高功率密度LED是大功率LED的細分領域,憑借小體積內實現(xiàn)高亮照明、高可靠性及長壽命等優(yōu)勢,逐漸在車用照明、車載HUD、舞臺照明、特種照明等多個領域嶄露頭角,為市場帶來了更智能、更便攜、更高
2024-12-05 11:40:121263

瞻芯電子推出2000V SiC 4相升壓功率模塊

日前,瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4相升壓功率模塊產品(IV3B20023BA2),為光伏等領域提供了電壓、功率密度的解決方案。該產品已通過工業(yè)可靠性測試,并在光伏客戶導入驗證。
2025-03-01 09:27:101308

英飛凌推出新一代功率密度功率模塊,賦能AI數(shù)據(jù)中心垂直供電

和高性能計算方面發(fā)揮關鍵作用。全新OptiMOS TDM2454xx四相功率模塊通過提升系統(tǒng)性能并結合英飛凌一貫的穩(wěn)健,為AI數(shù)據(jù)中心運營商實現(xiàn)業(yè)界領先的功率密度,降低總體擁有成本(TCO
2025-03-19 16:53:22737

新能源汽車功率密度電驅動系統(tǒng)關鍵技術趨勢

一、新能源汽車功率密度電驅動系統(tǒng)關鍵技術趨勢開發(fā)超高功率密度電機驅動系統(tǒng)的驅動力在于:相同體積或質量下,輸出功率更大,超車加速能力和高速持續(xù)行駛能力更強,獲得優(yōu)異的動力性能和駕駛體驗;相同輸出功率
2025-06-14 07:07:10952

金升陽推出功率密度整流模塊LMR3000-4850

在通信與工業(yè)控制領域,穩(wěn)定、高效的電源是保障系統(tǒng)可靠運行的核心。金升陽LMR3000-4850整流模塊憑借功率密度、智能數(shù)字化控制及多重安全防護,成為通信基站、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動化及機器人等領域的理想選擇。
2025-07-10 17:30:42880

英飛凌推出采用Q-DPAK 封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2,將工業(yè)應用功率密度提升至新高度

的CoolSiCMOSFET1200VG2。這款新型半導體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度,專為應對工業(yè)應用的高性能和高可靠性要求而設計,例如電動汽車充電
2025-08-01 17:05:091507

森國科推出SOT227封裝碳化硅功率模塊

碳化硅(SiC)功率半導體技術引領者森國科,推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破封裝方案結合了功率密度與系統(tǒng)可靠性,為新能源發(fā)電、工業(yè)電源及電動汽車等領域提供高效能解決方案。
2025-08-16 13:50:093162

英飛凌功率模塊助力金風科技構網型風機能效提升

風力發(fā)電實現(xiàn)穩(wěn)定可靠的電力傳輸。英飛凌將為金風科技提供搭載.XT技術的XHP? 2 1700 V IGBT5功率模塊,提升金風科技GW 155-4.5 MW構網型風機的能源效率。英飛凌功率模塊憑借其功率密度高可靠性穩(wěn)定性優(yōu)勢,確保風能系統(tǒng)長久運行。通過優(yōu)化能源效率,這些模塊有助于
2025-09-18 16:42:53863

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