隨著智能手機屏幕、電池容量的增大，加上智能手機內部功能組件的增多，PCB 區(qū)域已成為移動終端內部寸土寸金的競爭地帶，他們都在擠壓著射頻前端的物理空間，加上移動通信技術的發(fā)展，對于射頻前端的設計復雜程度和技術難度帶來了極大的挑戰(zhàn)。研究機構 Yole Developpement 最新的報告指出，隨著 5G 技術日益成熟，未來射頻功率放大器（RF PA）市場將出現(xiàn)顯著成長，但傳統(tǒng)的 LDMOS 制程將逐漸被新興的氮化鎵 （GaN）取代，砷化鎵（GaAs）的市場占比則相對穩(wěn)定。

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　　Yole 預計，電信基地臺設備升級與小型基地臺的廣泛布建，將是推動 RF PA 市場規(guī)模成長最主要的動力來源。 2016 年全球 RF PA 市場規(guī)模約為 15 億美元，到 2022 年時，市場規(guī)模將達到 25 億美元，復合年增率（CAGR）為 9.8%。 不過，由于導入新的射頻技術，并且使用更高的通訊頻段，因此 RF PA 必須使用新的制程技術來實現(xiàn)。展望未來，采用 GaN 制程的 RF PA 將成為輸出功率 3W 以上的 RF PA 所采用的主流制程技術，LDMOS 制程的市場份額則會明顯萎縮。 5G 下的射頻前端無線移動通信在 20 多年里得到了飛速的發(fā)展，給人們的生活、學習和工作方式以及政治、經濟、社會等各方面都帶來了巨大的影響。自 2012 年初 WRC-12 上 ITU 通過了 4G 標準之后，通信業(yè)界開始研究 5G。各國成立了專門組織推進 5G 研究，爭搶新一輪技術和標準的影響力和制高點。例如，歐盟啟動了 METIS、5GNOW 等多個 5G 預研項目，并成立了 5GPPP；韓國成立了 5G Forum 等；