在高級節(jié)點，有效的電網(wǎng)分析是確保小尺寸連接器可以處理電流需求，而不會造成潛在失效模式或信號完整性問題的關(guān)鍵?，F(xiàn)有的電網(wǎng)分析工具需要按照2.5維和三維設(shè)計進(jìn)行拓展和增強(qiáng)，從而滿足新的需求和使用模式。本文介紹了一些必要的改進(jìn)。
　　以系統(tǒng)為中心的電網(wǎng)分析
　　在三維集成電路系統(tǒng)中，幾個晶粒共享相同的網(wǎng)絡(luò)供電。電網(wǎng)分析 （PGA） 工具必須同時分析所有晶粒，因為一個晶粒的電壓降可能直接與另一個相關(guān)聯(lián)。此外，電網(wǎng)分析解決方案必須支持各種2.5維/三維晶粒配置 -- 包括布局、定向和堆疊順序 -- 以及晶粒內(nèi)部連接器模型。
　　一個系統(tǒng)中的每個晶?？赡芤呀?jīng)按照其應(yīng)用和需求采用了不同的工藝節(jié)點。一個系統(tǒng)可能包含 40nm 和 28nm 設(shè)計的晶粒以及 65nm 設(shè)計的基板夾層（interposer）。增量技術(shù)文件定義和校準(zhǔn)在這個使用案例中發(fā)揮了重要作用，因為終端用戶只需校準(zhǔn)與2.5維/三維整合相關(guān)的新堆疊定義部分，而不用重新校準(zhǔn)整個堆疊。
　　2.5維/三維流程的電網(wǎng)分析工具還必須考慮垂直整合所需的更多“對象”，如背面凸塊（microbumps）和背面金屬層（圖1）。三維結(jié)構(gòu)中的背面金屬層呈45度角，而不是正面金屬層常用的90度，這將對功率分析模型產(chǎn)生影響。對于全三維系統(tǒng)，電網(wǎng)分析工具需要給正面和背面金屬之間的硅穿孔（TSV）定義準(zhǔn)確的模型，而對于2.5維系統(tǒng)，電網(wǎng)分析工具必須能夠模擬只包含金屬（下面沒有器件）的鈍化基板夾層（interposer）。
　　使用模型
　　考慮到2.5維和三維系統(tǒng)的常規(guī)尺寸以及需要整合第三方晶粒，電網(wǎng)分析解決方案必須能夠以三種不同的模式運行。
　　●基于功率模型的電網(wǎng)分析模式 -- 在基于功率模型的模式中，每個晶粒表現(xiàn)為緊湊的功率模型，電網(wǎng)分析工具使用這些模型及其連接分析整個2.5維/三維集成電路系統(tǒng)。這種模式運行相當(dāng)快，提供了高水平的系統(tǒng)電網(wǎng)分析，但是它僅限于檢測晶粒內(nèi)連接問題。由于功率模型是為了特定技術(shù)節(jié)點角而創(chuàng)建，一個電網(wǎng)分析解決方案必須能夠處理不同條件下的不同緊湊功率模型。例如，1.2V 條件下90nm 晶粒模型和1.0V 條件下 65nm 的晶粒模型組合在一起的情況。
　　●全2.5維/三維電網(wǎng)分析模式 -- 終端用戶希望分析特定多晶粒網(wǎng)的電壓降，但是算起來代價十分高昂。為了支持這個模式，電網(wǎng)分析工具的容量和周轉(zhuǎn)時間必須比現(xiàn)有工具好幾個數(shù)量級。
　　●混合電網(wǎng)分析模式 -- 混合模式受到分析第三方晶粒整合需求的推動。它支持一系列混合的緊湊型功率模型和晶粒，在這種情況下第三方晶粒僅表現(xiàn)為緊湊模型，用于整合進(jìn)系統(tǒng)電網(wǎng)分析。
　　
　　設(shè)計流程中的電網(wǎng)分析
　　為了盡早、高效地檢測、診斷和糾正電網(wǎng)問題，設(shè)計人員應(yīng)該在布圖規(guī)劃、時鐘樹綜合后以及電路實現(xiàn)后階段進(jìn)行電網(wǎng)分析。為了提供有意義的分析，必須考慮到系統(tǒng)在既定晶粒（如其它晶粒、基板夾層（interposer）、三維集成電路整合對象等等）上的效果，用戶應(yīng)該能夠輕松分析系統(tǒng)相互作用。一個既定堆疊內(nèi)的多幀功能和晶粒間瀏覽使用戶能夠高效地審查、診斷和排除電網(wǎng)問題。盡管這些功能需要工具擁有明顯較大的數(shù)據(jù)容量和更快的響應(yīng)時間，但是它們對于調(diào)試動態(tài)的電網(wǎng)分析運行特別重要。