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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子教材>PVD技術(shù)在CCL中的應(yīng)用研究

      PVD技術(shù)在CCL中的應(yīng)用研究

      2010-08-27 | rar | 46 | 次下載 | 免費

      資料介紹

      ?物理氣相沉積(PVD，Phisical? Vapor Deposition)是在現(xiàn)代物理、化學(xué)、材料學(xué)、電子學(xué)等多學(xué)科基礎(chǔ)上，經(jīng)過多年的不斷發(fā)展而成為一門新興先進的工程技術(shù)。它是將耙材(需鍍薄膜材料)在較低的氣體壓力環(huán)境下，經(jīng)過物理過程而進入氣相直接沉積在襯底表面的過程。目前，PVD沉積技術(shù)有蒸鍍、磁控濺射和離子鍍法三種。以中頻磁控濺射為例，它是利用帶有電荷的離子在電場中加速后具有一定動能的特點，將離子引入欲被濺射的物質(zhì)做成的耙電極。在合適的離子能量條件下，入射離子在與耙表面原子的碰撞過程中將后者濺射出來。這些被濺射出來的原子帶有一定的動能，? 并且會沿著一定的方向射向襯底，從而實現(xiàn)薄膜的沉積。PVD是純物理的納米級薄膜沉積過程，因此，在制造超薄基銅、低粗糙(輪廓)度(LP)CCL和超低粗糙度(VLP)CCL具有絕對的優(yōu)勢。它不僅有利于PCB精細(xì)導(dǎo)線等的制造，還可以大大減少電解銅箔和PCB生產(chǎn)造成令人頭痛的環(huán)境污染問題(由于CCL的基銅可以薄到lμm～2μm，減少了蝕刻和清洗產(chǎn)生的污染)。
      PVD CCL
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