半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)的總結(jié)

半導(dǎo)體技術(shù)復(fù)習(xí)資料

一、名詞解釋、選擇和填空題復(fù)習(xí)內(nèi)容

※1、雙極性晶體管穿通電壓（P102）：當(dāng)基區(qū)寬度較小、雜質(zhì)濃度較低時(shí)。。。這種情況稱

※2、n溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管n-JFET（P133）：在一塊n型半導(dǎo)體。。。晶體管稱為溝道n-JFET。

3、JFET的漏源電導(dǎo)gds（P140）：

※4、雪崩擊穿：當(dāng)N區(qū)（P區(qū)）的一個(gè)雜散空穴（電子）進(jìn)入空間電荷層時(shí)，在它掠向P區(qū)（N區(qū)）的過程中，它將從電場(chǎng)獲得動(dòng)能?？昭ǎ娮樱е吣芎途Ц衽鲎?，并從晶格中電離出一個(gè)電子，產(chǎn)生一個(gè)電子-空穴對(duì)。在第一次碰撞之后，原始和產(chǎn)生的載流子將繼續(xù)它們的行程，并且可能發(fā)生更多的碰撞，產(chǎn)生更多的載流子。結(jié)果，載流子的增加是倍增過程，稱為雪崩倍增或碰撞電離，由此造成的ＰＮ結(jié)擊穿稱為雪崩擊穿。

5、ＰＮ結(jié)：任何兩種物質(zhì)（絕緣體除外）的冶金學(xué)接觸都稱為結(jié)或接觸。由Ｎ型和Ｐ型半導(dǎo)體形成的結(jié)稱為ＰＮ結(jié)。

※6、同質(zhì)結(jié)：由同種半導(dǎo)體構(gòu)成的結(jié)稱為同質(zhì)結(jié)。同質(zhì)結(jié)又有同型同質(zhì)結(jié)和異型同質(zhì)結(jié)之分（這里指的是導(dǎo)電類型）。

※7、異質(zhì)結(jié)：由不同種半導(dǎo)體構(gòu)成的結(jié)稱為異質(zhì)結(jié)。異質(zhì)結(jié)又有同型異質(zhì)結(jié)和異型異質(zhì)結(jié)之分（這里指的是導(dǎo)電類型）。

※8、金屬—半導(dǎo)體結(jié)：由金屬和半導(dǎo)體形成的結(jié)稱為金屬—半導(dǎo)體結(jié)，又稱為金屬半導(dǎo)體接觸。

9、突變結(jié)：Ｐ型區(qū)和Ｎ型區(qū)之間的雜質(zhì)分布變化陡峭的ＰＮ結(jié)。

10、中性區(qū)：中性區(qū)的第一個(gè)含義就是指沒有空間電荷存在，電場(chǎng)為零；第二個(gè)含義是其電阻與空間電荷區(qū)的電阻相比可以忽略，加偏壓時(shí)它們承受的電壓降可以忽略。

※11、耗盡區(qū)與耗盡近似：空間電荷區(qū)里自由載流子濃度與電離雜質(zhì)濃度相比可以忽略，可以說自由載流子被耗盡了，因此把空間電荷區(qū)稱為耗盡區(qū)。這種假設(shè)稱為耗盡近似。

※12勢(shì)壘區(qū)：與空間電荷區(qū)兩側(cè)內(nèi)建電勢(shì)能差稱為勢(shì)壘。由于空間電荷區(qū)兩側(cè)存在電子和空穴的勢(shì)壘，因此，也把空間電荷區(qū)稱為勢(shì)壘區(qū)。勢(shì)壘區(qū)、空間電荷區(qū)、耗盡區(qū)指的是同一件事。

※13、少子擴(kuò)散區(qū)：在空間電荷區(qū)兩側(cè)中性區(qū)里一個(gè)到幾個(gè)擴(kuò)散長(zhǎng)度的區(qū)域內(nèi)，注入少子以擴(kuò)散方式運(yùn)動(dòng)，這個(gè)區(qū)域稱為少子擴(kuò)散區(qū)，簡(jiǎn)稱擴(kuò)大散區(qū)。

14、擴(kuò)散電容：PN結(jié)擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的儲(chǔ)存電荷量會(huì)隨著外加偏壓的變化而變化，相應(yīng)的電容稱為過渡電容，表示為CD=（TPI）/（2VT）

15、擴(kuò)散電阻：對(duì)于PN結(jié)電阻，正偏PN結(jié)擴(kuò)散電阻很小，反偏PN結(jié)擴(kuò)散電阻是直流電導(dǎo)的倒數(shù)。

※16、穿通擊穿：在基極開路情況下，隨著VCE的增加，集電結(jié)的空間電荷區(qū)將展寬。很可能在發(fā)生雪崩擊穿之前集電結(jié)的空間電荷區(qū)就已經(jīng)擴(kuò)展到了發(fā)射結(jié)，這種現(xiàn)象稱為基區(qū)穿通?；鶇^(qū)穿通時(shí)晶體管中會(huì)有很大的電流流過，晶體管發(fā)生擊穿，這種擊穿常稱為穿通擊穿。