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      半導(dǎo)體存儲器的分類、組成結(jié)構(gòu)和工作原理及其應(yīng)用的資料概述

      2018-10-17 | ppt | 1.54 MB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      　　半導(dǎo)體存儲器是數(shù)字系統(tǒng)特別是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的重要組成，分為RAM和ROM兩大類。學(xué)習(xí)半導(dǎo)體存儲器的組成結(jié)構(gòu)、工作原理及其應(yīng)用。

      　　一、半導(dǎo)體存儲器的功能：存儲大量二值信息的半導(dǎo)體器件。

      　　二、半導(dǎo)體存儲器的性能：存儲容量和存儲速度。

      　　三、半導(dǎo)體存儲器的分類

      　　方式分類：只讀存儲器ROM （Read-Only Memory）和隨機(jī)存儲器RAM （Random Access Memory）

      　　只讀存儲器ROM：電路結(jié)構(gòu)簡單、斷電數(shù)據(jù)不消失、不能快速隨時(shí)修改數(shù)據(jù)。適用于存儲固定數(shù)據(jù)的場合。（非易失性）

      　　隨機(jī)存儲器RAM：可隨時(shí)快速修改數(shù)據(jù)，高集成度。有SRAM、DRAM。（易失性）

      　　工藝分類：雙極型和MOS型，后者為主。

      　　四、半導(dǎo)體存儲器的發(fā)展趨勢

      　　1.大容量存儲器

      　　遵循莫爾定理：每18個(gè)月集成度提高一倍。

      　　已有16Gb的DRAM芯片。

      　　2.高速存儲器

      　　一般將訪問時(shí)間小于35ns的存儲器視為高速存儲器。

      　　目前研制水平可使SRAM訪問時(shí)間達(dá)到1ns。

      　　3.低電壓、低功耗存儲器

      　　多數(shù)低壓存儲器采用3～3.3V工作電壓。

      　　目前已有1V工作電壓的SRAM。

      半導(dǎo)體 存儲器 ROM RAM
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