本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是PIC32MZ系列32位單片機(jī)的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載包括了：具有FPU/音頻/圖形接口、HS USB、以太網(wǎng)和高級(jí)模擬功能的32位MCU （最高2 MB實(shí)時(shí)更新閃存和512 KB SRAM）

　　在開(kāi)始使用PIC32MZ EF系列32位單片機(jī)（MCU）進(jìn)行開(kāi)發(fā)之前，需要注意最低限度的器件引腳連接要求。下面列出了必須始終連接的引腳名稱： ? 所有VDD和VSS引腳（見(jiàn)第2.2節(jié)“去耦電容”） ? 所有AVDD和AVSS引腳（無(wú)論是否使用ADC模塊）（見(jiàn)第2.2節(jié)“去耦電容”） ? MCLR引腳（見(jiàn)第2.3節(jié)“主復(fù)位（MCLR）引腳”） ? 用于在線串行編程（In-Circuit Serial Programming?，ICSP?）和調(diào)試目的的PGECx/ PGEDx引腳（見(jiàn)第2.4節(jié)“ICSP引腳”） ? OSC1 和 OSC2 引腳（使用外部振蕩源時(shí)）（見(jiàn)第2.7節(jié)“外部振蕩器引腳”）此外，還可能需要連接以下引腳：使用ADC 模塊的外部參考電壓時(shí)使用的VREF+/ VREF-引腳。

　　去耦電容

　　需要在電源引腳（例如VDD、VSS、AVDD和AVSS）上使用去耦電容。請(qǐng)參見(jiàn)圖2-1。使用去耦電容時(shí)，需要考慮以下標(biāo)準(zhǔn)： ? 電 容 的類型和電容值： 推 薦 的 電 容值為 0.1 μF （100 nF），10-20V。電 容 應(yīng)為低等效串聯(lián)阻抗（低ESR）電容，其諧振頻率應(yīng)達(dá)到20 MHz 或更高。建議使用陶瓷電容。 ? 在印刷電路板上的放置：去耦電容應(yīng)盡可能靠近引腳。建議將電容放在電路板上器件所在的一側(cè)。如果空間有限，可使用過(guò)孔將電容放到PCB的另一側(cè)上；但是，需要確保從引腳到電容的走線長(zhǎng)度在四分之一英寸（6 mm）內(nèi)。 ? 處理高頻噪聲：如果電路板會(huì)受到超過(guò)數(shù)十兆赫茲的高頻噪聲影響，應(yīng)為上述去耦電容并聯(lián)一個(gè)陶瓷電容。第二個(gè)電容的容值可在0.001 μF至0.01 μF之間。請(qǐng)將第二個(gè)電容放置在靠近主去耦電容的位置。在高速電路設(shè)計(jì)中，需要考慮盡可能靠近電源和接地引腳放置這一對(duì)電容。例如，0.1 μF電容與0.001 μF電容并聯(lián)。 ? 最大程度提高性能：對(duì)于從電源電路開(kāi)始的電路板布線，需要將電源和返回走線先連接到去耦電容，然后再與器件引腳連接。這可以確保去耦電容是電源鏈中的第一個(gè)元件。同等重要的是盡可能減小電容和電源引腳之間的走線長(zhǎng)度，從而降低PCB走線上的電感。