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　　《IGBT場效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件導(dǎo)論》以新一代半導(dǎo)體功率器件IGBT為主線，系統(tǒng)地論述了場效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件的基礎(chǔ)理論和工藝制作方面的知識，內(nèi)容包括器件的原理、模型、設(shè)計、制作工藝及應(yīng)用等，重點討論IGBT，同時對其他器件如VDMOS、C001MOS等也作了簡單介紹。《IGBT場效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件導(dǎo)論》著重闡述基礎(chǔ)理論，并適當吸收該領(lǐng)域近期的研究報道，各章后附有相關(guān)參考文獻，《IGBT場效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件導(dǎo)論》后還附有全書統(tǒng)一使用的符號表。

　　編輯推薦

　　《IGBT場效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件導(dǎo)論》可作為高等院校電子科學與技術(shù)專業(yè)、微電子與固體電子學專業(yè)的教學用書，也可供從事物理專業(yè)及電子信息專業(yè)領(lǐng)域的教師、科研人員、研究生和本科生等參考閱讀。

　　作者簡介

　　袁壽財，生于1963年3月，陜西省商洛山陽縣人。1985年，獲西安交通大學半導(dǎo)體物理與器件專業(yè)工學學士;1988年，獲陜西微電子學研究所(陜西臨潼)碩士學位(VLSI研究方向);2003年，獲西安交通大學電子科學與技術(shù)學科工學博士學位。現(xiàn)為贛南師范學院(江西省贛州市)物理與電子信息學院教師。從事半導(dǎo)體大功率器件、新材料新器件及微納電子器件與電路的研究和教學工作。先后參與機械工業(yè)部“八五”科技攻關(guān)項目、國家自然科學基金及國家863計劃等多項科研項目。2004年4月，“一種硅化物全自對準槽柵絕緣柵雙極晶體管的制備方法”取得了國家發(fā)明專利。發(fā)表的學術(shù)論文中，SCI收錄4篇，EI收錄5篇。