SST39VF801C/802C 和 SST39LF801C/802C 是采用 SST 專有的高性能 CMOS SuperFlash? 技術(shù)制造的 512K x16 CMOS 多用途閃存 +（Multi-Purpose Flash Plus，MPF+）器件。與其他方法相比，分離柵極單元設(shè)計(jì)和厚氧化層隧穿注入器可實(shí)現(xiàn)更高的可靠性和可制造性。 SST39VF801C/802C 和 SST39LF801C/ 802C使用2.7-3.6V電源進(jìn)行寫操作（編程或擦除）。這些器件遵從x16存儲(chǔ)器的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)引腳排列。 SST39VF801C/802C 和 SST39LF801C/802C 器件具有高性能的字編程能力，其典型字編程時(shí)間為 7 μs。這些器件使用翻轉(zhuǎn)位、數(shù)據(jù) # 查詢或 RY/BY# 引腳來指示編程操作是否完成。為了防止意外寫操作，這些器件提供了片上硬件和軟件數(shù)據(jù)保護(hù)方案。這些器件針對(duì)一系列廣泛應(yīng)用進(jìn)行設(shè)計(jì)、制造和測(cè)試，典型可擦寫次數(shù)可確保達(dá)到 100，000 次。數(shù)據(jù)額定保存時(shí)間則大于 100 年。 SST39VF801C/802C 和 SST39LF801C/802C 器件適用于需要方便且經(jīng)濟(jì)地更新程序、配置或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的應(yīng)用。對(duì)于所有系統(tǒng)應(yīng)用，它們都可以顯著提高性能和可靠性，同時(shí)降低功耗。相較于其他閃存技術(shù)，它們本質(zhì)上在擦除和編程期間消耗的能量更低。消耗的總能量是應(yīng)用中施加電壓、電流和時(shí)間的函數(shù)。對(duì)于任何給定的電壓范圍，SuperFlash 技術(shù)的編程電流更低、擦除時(shí)間更短；因此，在任何擦除或編程操作期間消耗的總能量低于其他閃存技術(shù)。在降低程序、數(shù)據(jù)和配置存儲(chǔ)應(yīng)用成本的同時(shí)，這些器件還可以提高靈活性。 SuperFlash 技術(shù)支持固定的擦除和編程時(shí)間，時(shí)間與所發(fā)生的擦除/編程周期數(shù)無關(guān)。因此，系統(tǒng)軟件或硬件不需要進(jìn)行修改或降額，這一點(diǎn)不同于其他一些擦除和編程時(shí)間會(huì)隨擦除 /編程周期數(shù)累積而增加的閃存技術(shù)。為了滿足高密度、表面貼裝的要求，SST39VF801C/802C 和 SST39LF801C/802C 提供了 48 引腳 TSOP、 48 球 TFBGA 和 48 球 WFBGA 封裝。關(guān)于引腳分配，請(qǐng)參見圖 2、圖 3 和圖 4。