資料介紹
CY7C1021是一個高性能的CMOS靜態(tài)RAM,由16位65536字組成。此設備具有自動斷電功能,取消選擇時可顯著降低功耗。對設備的寫入是通過使能芯片(CE)和使能寫入(WE)低輸入來完成的。如果字節(jié)低位啟用(BLE)低,則來自I/O引腳(I/O1到I/O8)的數(shù)據(jù)將寫入地址引腳(A0到A15)上指定的位置。如果字節(jié)高位啟用(BHE)低,則來自I/O引腳(I/O9到I/O16)的數(shù)據(jù)將寫入地址引腳(A0到A15)上指定的位置通過使芯片啟用(CE)和輸出啟用(OE)處于低位,同時強制寫入啟用(WE)處于高位來完成設備的讀取。如果Byte Low Enable(BLE)為Low,則來自地址管腳指定的內(nèi)存位置的數(shù)據(jù)將顯示在I/O1到I/O8上。如果字節(jié)高啟用(BHE)低,則來自存儲器的數(shù)據(jù)將出現(xiàn)在I/O9到I/O16上。有關(guān)讀寫模式的完整說明,請參閱本數(shù)據(jù)表后面的真值表。當設備被取消選擇(CE高)、輸出被禁用(OE高)、BHE和BLE被禁用(BHE、BLE高)或在寫入操作(CE低和WE低)時,輸入/輸出引腳(I/O1至I/O16)處于高阻抗狀態(tài)。在標準44引腳TSOP II型和4億寬SOJ包。

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