資料介紹
- BiCD工藝集成:
- 多種步進控制:
- 高電壓和電流處理能力:
- 集成電流檢測和保護:
-
低導通電阻:
- TB5128HG擁有低導通電阻MOSFET(高側(cè)+低側(cè)=0.25Ω 典型值),降低了功率損耗,提高了整體效率。
-
內(nèi)置VCC穩(wěn)壓器:
- 內(nèi)置的VCC穩(wěn)壓器確保內(nèi)部電路的穩(wěn)定運行,提升了驅(qū)動器的可靠性和性能。
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