射頻功率放大器設(shè)定偏壓條件的設(shè)計(jì)技術(shù)及其數(shù)字電位器的介紹
資料介紹
一種革新的技術(shù)采用命名為數(shù)字控制的電位器(DCP)使設(shè)計(jì)師能從根本上改善RF 功率放大器的成本和可靠性。這在要求嚴(yán)格的應(yīng)用為采用高線性和高效率的 LDMOS技術(shù)的蜂窩電話(huà)基站是特別有價(jià)值的。
新一代 DCP 沒(méi)有電荷泵,所以沒(méi)有可以傳導(dǎo)到滑片上的外部噪聲(甚至在編程時(shí))。因此,有可能給 DCP 動(dòng)態(tài)編程而仍保持放大器上的連續(xù)波功率(滑片電阻實(shí)現(xiàn)新舊狀態(tài)的平滑過(guò)渡)。
這對(duì)于重新偏置合用不同調(diào)制標(biāo)準(zhǔn)的放大器來(lái)說(shuō)是個(gè)重要問(wèn)題,因而可能要求不同的工作點(diǎn)以及到最佳性能。DCP 已在全世界通信網(wǎng)絡(luò)上安裝的商用功率放大器上確立了幾百萬(wàn)不出問(wèn)題的現(xiàn)場(chǎng)工作小時(shí)。
偏置問(wèn)題
功率放大器設(shè)計(jì)的最重要的方面之一是偏置網(wǎng)絡(luò)必須抵制 RF 功率。在凡是有可能的場(chǎng)合采用高阻抗源 極就能達(dá)到這個(gè)目的。凡是采用了低阻抗源極的地方,保持良好的去耦狀態(tài)是十分必要的,以充分利用晶體管的性能。
在 FET 漏極(GaAs 或 LDMOS),采用低阻抗偏壓供電是必要的。對(duì)于非 A 類(lèi)偏置的晶體管來(lái)說(shuō),電流對(duì)輸出功率的特性曲線是動(dòng)態(tài)的,并且任何殘余電源阻抗都引起漏極電壓調(diào)幅。
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圖:在 RF 功效應(yīng)用中使用數(shù)字電位計(jì),設(shè)計(jì)者能在諸如蜂窩電話(huà)基站等應(yīng)用中節(jié)約成本,提高可靠性。
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