怎么測(cè)量碳化硅?臺(tái)階儀 0.5mg測(cè)力解決易損、干涉測(cè)量難題
資料介紹
在半導(dǎo)體制造圈,這幾年大家談?wù)撟疃嗟哪^于“第三代半導(dǎo)體”——SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)。我們都在談?wù)搶捊麕Р牧蠋淼母吣蛪?、高頻性能。但對(duì)于身處Fab廠一線工藝或從事量測(cè)設(shè)備的工程師來說,材料屬性的變化,往往意味著新的工藝挑戰(zhàn)。
怎么測(cè)量碳化硅?晶圓應(yīng)力怎么測(cè)?比如,SiC非常硬,莫氏硬度非常高;同時(shí)它又是透明的,且往往生長在異質(zhì)襯底上。傳統(tǒng)的測(cè)量邏輯在這里經(jīng)常行不通:
1.看不清:光學(xué)測(cè)量在透明多層膜結(jié)構(gòu)上容易遇到復(fù)雜的干涉問題,數(shù)據(jù)往往存在噪點(diǎn)。
2.不敢碰:傳統(tǒng)的接觸式測(cè)量如果力度控制不好,很容易劃傷昂貴的光刻膠或晶圓表面。
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當(dāng)摩爾定律的戰(zhàn)場(chǎng)轉(zhuǎn)移到微觀結(jié)構(gòu)的“縱深”和“新材料”上,我們的測(cè)量工具在如何升級(jí)?結(jié)合最近應(yīng)用的NS系列臺(tái)階儀,我想聊聊在亞埃級(jí)尺度下,這種被戲稱為“微觀畫師”的設(shè)備,是如何解決新材料研發(fā)中三個(gè)關(guān)鍵難題的。

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