CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）技術(shù)仍然是制造集成電路（IC或芯片）的主導(dǎo)技術(shù)，這種主導(dǎo)地位可能會(huì)持續(xù)25年甚至更長(zhǎng)時(shí)間。為什么？CMOS技術(shù)是可靠的，可制造的，低功耗，低成本，也許最重要的是，可擴(kuò)展。事實(shí)上，硅集成電路技術(shù)是可擴(kuò)展的，這一事實(shí)在1965年由英特爾創(chuàng)始人戈登·摩爾觀察和描述。他的觀察結(jié)果現(xiàn)在被稱為摩爾定律，并指出芯片上的設(shè)備數(shù)量將每18到24個(gè)月翻一番。雖然摩爾定律最初并不是針對(duì)CMOS的，但多年來(lái)通過(guò)縮小CMOS工藝中的特征尺寸來(lái)實(shí)現(xiàn)。早期CMOS晶體管的柵極長(zhǎng)度在微米范圍內(nèi)（長(zhǎng)溝道器件），而當(dāng)前CMOS器件的特征尺寸則在納米范圍內(nèi)（短溝道器件）。為了涵蓋本書(shū)中的長(zhǎng)溝道和短溝道CMOS技術(shù)，定制CMOS集成電路設(shè)計(jì)的雙路徑方法被采納。為兩者開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)技術(shù)，然后進(jìn)行比較。這種比較使讀者深入了解電路設(shè)計(jì)過(guò)程。雖然學(xué)生在微電子入門(mén)課程中學(xué)習(xí)的用于描述MOSFET操作的平方律方程可用于長(zhǎng)溝道CMOS工藝中的模擬設(shè)計(jì)，但在短溝道或納米CMOS工藝設(shè)計(jì)時(shí)，這些方程并不有用。納米CMOS工藝中器件的行為相當(dāng)復(fù)雜。用簡(jiǎn)單的方程式來(lái)描述設(shè)備的行為是不可能的。相反，電氣圖用于估計(jì)偏壓點(diǎn)和操作行為。然而，對(duì)于學(xué)生來(lái)說(shuō)，在學(xué)習(xí)電路分析和設(shè)計(jì)時(shí)使用數(shù)學(xué)的嚴(yán)謹(jǐn)性仍然是有用的，因此，這是雙路徑方法的原因。手工計(jì)算可以使用長(zhǎng)溝道CMOS工藝進(jìn)行，其結(jié)果可用于描述如何在納米CMOS工藝中進(jìn)行設(shè)計(jì)。

　　第三版的計(jì)算機(jī)輔助計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)（CAD）和計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)（ICE）的第三版（例如，SPICE）已經(jīng)轉(zhuǎn)移到了計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)的第三版http://CMOSedu.com。此外，還增加了一些章節(jié)，包括數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器和反饋放大器的實(shí)現(xiàn)。這些附加的，實(shí)用的，信息應(yīng)該使這本書(shū)更有用的學(xué)術(shù)文本和工作設(shè)計(jì)工程師的伴侶。與早期版本一樣，這本書(shū)充滿了實(shí)用的設(shè)計(jì)示例、討論和問(wèn)題。章節(jié)末問(wèn)題的解決方案（自學(xué)）和模擬電路時(shí)使用的網(wǎng)絡(luò)列表見(jiàn)CMOSedu.com網(wǎng)站。 其他問(wèn)題也可以在這個(gè)網(wǎng)站上找到。那些有興趣深入了解CMOS模擬和數(shù)字設(shè)計(jì)知識(shí)的人，可以通過(guò)下載、修改和模擬書(shū)中的設(shè)計(jì)實(shí)例來(lái)獲得極大的幫助。讀者的假定背景是線性電路（例如，RC和RLC電路、Bode圖、Laplace變換、AC分析等）、微電子（例如二極管、晶體管、小信號(hào)分析、放大器、開(kāi)關(guān)行為等）和數(shù)字邏輯設(shè)計(jì)的知識(shí)。使用本書(shū)可以教授一些課程，包括VLSI或CMOS數(shù)字IC設(shè)計(jì)（第1-7章和第10-19章）、CMOS模擬IC設(shè)計(jì)（第9章和第20-24章）以及高級(jí)模擬IC設(shè)計(jì)（第8章和第25-31章）
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