l 、判斷極性首先將萬(wàn)用表撥在

　　R×1K 擋，用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí)，若某一極與其它兩極阻值為無(wú)窮大，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無(wú)窮大，則判斷此極為柵極（G ）。其余兩極再用萬(wàn)用表測(cè)量，若測(cè)得阻值為無(wú)窮大，調(diào)換表筆后測(cè)量阻值較小。在測(cè)量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（C）：黑表筆接的為發(fā)射極（E）。

　　2、判斷好壞將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KQ檔，用黑表筆接IGBT的集電極（C），紅表筆接IGBT的發(fā)時(shí)極（E），此時(shí)萬(wàn)用表的指針在零位。用手指同時(shí)觸及一下柵極（G）和集電極（C），這時(shí)工GBT被觸發(fā)導(dǎo)通，萬(wàn)用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站們指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下柵極（G）和發(fā)射極（E），這時(shí)IGBT被阻斷，萬(wàn)用表的指針回零。此時(shí)即可判斷IGBT是好的。

　　3、注意事項(xiàng)任何指針式萬(wàn)用表鈴可用于檢測(cè)IGBT。注意判斷IGBT好壞時(shí)，一定要將萬(wàn)用表?yè)茉赗×IOK擋，因R×IKQ檔以下各檔萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT導(dǎo)通，而無(wú)法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用護(hù)檢測(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（P-MOSFET）的好壞。

　IGBT管好壞的檢測(cè)IGBT管好壞的檢測(cè)

　　IGBT管的好壞可用指針萬(wàn)用表的Rxlk擋來(lái)檢測(cè)，或用數(shù)字萬(wàn)用表的“二極管”擋來(lái)測(cè)量PN結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。檢測(cè)前先將IGBT管三只引腳短路放電，避免影響檢測(cè)的準(zhǔn)確度；然后用指針萬(wàn)用表的兩枝表筆正反測(cè)G、e兩極及G、c兩極的電阻，對(duì)于正常的IGBT管（正常G-E兩極與G-c兩極間的正反向電阻均為無(wú)窮大；內(nèi)含阻尼二極管的IGBT管正常時(shí)，e-C極間均有4kΩ正向電阻），上述所測(cè)值均為無(wú)窮大；最后用指針萬(wàn)用表的紅筆接c極，黑筆接e極，若所測(cè)值在3.5kΩ左右，則所測(cè)管為含阻尼二極管的IGBT管，若所測(cè)值在50kΩ左右，則所測(cè)IGBT管內(nèi)不含阻尼二極管。對(duì)于數(shù)字萬(wàn)用表，正常情況下，IGBT管的e-C極間正向壓降約為0.5V。

　　內(nèi)含阻尼二極管的IGBT管檢測(cè)示意圖如圖所示，表筆連接除圖中所示外，其他連接檢測(cè)的讀數(shù)均為無(wú)窮大。

　　如果測(cè)得IGBT管三個(gè)引腳間電阻均很小，則說(shuō)明該管已擊穿損壞；若測(cè)得IGBT管三個(gè)引腳間電阻均為無(wú)窮大，說(shuō)明該管已開(kāi)路損壞。實(shí)際工作中IGBT管多為擊穿損壞。

　　功率模塊的好壞判斷主要是對(duì)功率模塊內(nèi)的續(xù)流兩極管的判斷。 對(duì)于IGBT模塊我們還需判斷在有觸發(fā)電壓的情況下能否導(dǎo)通和關(guān)斷。逆變器IGBT模塊檢測(cè)： 將數(shù)字萬(wàn)用表?yè)艿蕉O管測(cè)試檔，測(cè)試IGBT模塊c1 e1、c2 e2之間以及柵極G與e1、e2之間正反用二極管特性，來(lái)判斷IGBT模塊是否完好。