模擬電子技術(shù)作為一門入門性質(zhì)的技術(shù)基礎(chǔ)課，其內(nèi)容與后續(xù)的大量專業(yè)課都直接關(guān)聯(lián)，因此各理工類院校所有涉及電類的專業(yè)都將其作為后續(xù)專業(yè)課的重要基礎(chǔ)課。但由于模電課程本身所具有的課程特點(diǎn)，初學(xué)者在剛開始接觸這門課程時(shí)常會感到枯燥、抽象，難以入手。所以本文將實(shí)際工程項(xiàng)目引入到課程的教學(xué)當(dāng)中，很好地解決了理論教學(xué)與實(shí)際動(dòng)手相脫節(jié)的老大難問題，使得學(xué)生的學(xué)習(xí)興趣和學(xué)習(xí)效率都大為提高。

　　基于電源模塊的低噪聲二次電源設(shè)計(jì)通常分為以下幾個(gè)部分：浪涌抑制，輸入共模、差模濾波以及輸出共模、差模濾波等。下面將進(jìn)行具體介紹：

　　1. 1 浪涌抑制電路

　　浪涌電流（ Inrush Current ） 是當(dāng)一個(gè)電源開啟時(shí)產(chǎn)生的尖峰電流（ Spike of Current ）。由于EMI 濾波器輸入線路端包含了一些電容，同樣DC- DC轉(zhuǎn)換器在輸入和輸出端也含有電容，負(fù)載端還有可能含有其它的附加電容，浪涌就是由這些電容充電引起的。圖1 是一個(gè)典型的浪涌電流波形，它有兩個(gè)尖峰，第一個(gè)“浪涌尖峰”的電流峰值是輸入電壓電源（ I nput Voltage Source） 啟動(dòng)時(shí)產(chǎn)生的，而第二個(gè)電流峰值則是DC-DC轉(zhuǎn)換器啟動(dòng)時(shí)產(chǎn)生的。

　　本文設(shè)計(jì)浪涌抑制采用了圖2 的方法。這個(gè)電路在電源端負(fù)極使用一個(gè)MOS場效應(yīng)管（MOSFET） 器件Q1。其具體工作過程為：Q1 通過R2 拉低其門限電壓，通常它是斷開的。當(dāng)施加輸入電壓時(shí)，通過R1 為柵極充電，Q1 的充電時(shí)間和開啟時(shí)間將由于C1的存在而減慢，可以選用R1 和C1 來為輸入電容緩慢充電來限制浪涌電流。在輸入電容充好電后，Q1 柵極將會充電，直至被齊納穩(wěn)壓二極管（ zene r ） 限制，然后Q1 將保持完全開啟。這樣，就完成了浪涌的抑制。

　　輸入濾波器設(shè)計(jì)

　　輸入濾波器包括共模濾波和差模濾波兩部分，如圖3 所示。因?yàn)镈C- DC轉(zhuǎn)換模塊一般先把直流轉(zhuǎn)換為高頻交流，再把高頻交流轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定直流，所以在這期間容易形成各種噪聲，在輸入端表現(xiàn)為傳導(dǎo)噪聲和輻射噪聲。輸入濾波電路的主要作用是減小輸入噪聲，阻止二次電源向輸入電源反饋的噪聲。輸入濾波器一般由共態(tài)扼流圈Ll 、跨接線路電容C1、C4 以及線路高通濾波電容C2、C3 組成。