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ME331B DC/DC升壓轉(zhuǎn)換器
ME331B DC/DC 芯片是采用CMOS 工藝制造的靜態(tài)電流極低的VFM 開關(guān)型直流/直流升壓轉(zhuǎn)換器該芯片由振蕩器VFM 控制電路LX 開關(guān)驅(qū)動(dòng)晶體管基準(zhǔn)電壓單元誤差比較放大器電壓采樣電阻LX 開關(guān)保護(hù)電路等部分組成ME331B DC/DC 升壓轉(zhuǎn)換器具有低紋波高效率等特點(diǎn)外圍只需接三個(gè)元件
ME331B DC/DC 芯片是采用CMOS 工藝制造的靜態(tài)電流極低的VFM 開關(guān)型直流/直流升壓轉(zhuǎn)換器該芯片由振蕩器VFM 控制電路LX 開關(guān)驅(qū)動(dòng)晶體管基準(zhǔn)電壓單元誤差比較放大器電壓采樣電阻LX 開關(guān)保護(hù)電路等部分組成ME331B DC/DC 升壓轉(zhuǎn)換器具有低紋波高效率等特點(diǎn)外圍只需接三個(gè)元件
DC升壓轉(zhuǎn)換器
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